公开(公告)号：CN1297012C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN03102315.0

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冢本昭 ,  田中学

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  A61B6/00

CPC classification number: H01L27/14676

Abstract: 利用扫描线和信号线的低电阻化提高动作速度、降低图像噪音，并且使修复的容易性与以往相同。在玻璃基板201上的TFT阵列部使用铝合金(扫描线也一样)形成信号线205的配线图形，用以提高动作速度、降低图像噪音。在上述玻璃基板上，在上述配线图形的终端附近形成端子部。该端子部具有用与TFT阵列部的电容线相同的MoW层形成的端子图形216。信号线、扫描线的配线图形分别延伸到上述端子图形的附近，通过与像素电极相同基材的ITO膜215与上述端子图形电气连接。这时，在端子形成部分也层叠与像素电极相同基材的ITO膜进行保护。端子图形与配线图形分离，所以，修复处理与以往同等容易。

公开(公告)号：CN1437266A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03102315.0

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冢本昭 ,  田中学

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  A61B6/00

CPC classification number: H01L27/14676

Abstract: 利用扫描线和信号线的低电阻化提高动作速度、降低图像噪音，并且使修复的容易性与以往相同。在玻璃基板201上的TFT阵列部使用铝合金(扫描线也一样)形成信号线205的配线图形，用以提高动作速度、降低图像噪音。在上述玻璃基板上，在上述配线图形的终端附近形成端子部。该端子部具有用与TFT阵列部的电容线相同的MoW层形成的端子图形216。信号线、扫描线的配线图形分别延伸到上述端子图形的附近，通过与像素电极相同基材的ITO膜215与上述端子图形电气连接。这时，在端子形成部分也层叠与像素电极相同基材的ITO膜进行保护。端子图形与配线图形分离，所以，修复处理与以往同等容易。