偏转轭和采用该偏转轭的阴极射线管

    公开(公告)号:CN1252788C

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN02803358.2

    申请日:2002-10-29

    CPC classification number: H01J29/764 H01J29/766

    Abstract: 在半环型偏转轭中,磁芯(34)沿着管轴从大直径部分(34L)到小直径部分(34S)的整个长度的中间点CL(M)位于水平偏转线圈(30a,30b)的小直径部分(30S)一边,它相对于沿着管轴离开水平偏转线圈(30a,30b)的大直径部分(30L)一边0.41×HL的距离点,其中,HL是水平偏转线圈(30a,30b)沿着管轴的整个长度。偏转轭有效地偏转电子束,且减小了偏转轭所需的偏转电源功率。具有该偏转轭的阴极射线管能够抑制在屏幕垂直方向上所产生的枕形失真类失真,因此能够显示较高质量的图像。

    偏转轭和采用该偏转轭的阴极射线管

    公开(公告)号:CN1481574A

    公开(公告)日:2004-03-10

    申请号:CN02803358.2

    申请日:2002-10-29

    CPC classification number: H01J29/764 H01J29/766

    Abstract: 在半环型偏转轭中,磁芯(34)沿着管轴从大直径部分(34L)到小直径部分(34S)的整个长度的中间点CL(M)位于水平偏转线圈(30a,30b)的小直径部分(30S)一边,它相对于沿着管轴离开水平偏转线圈(30a,30b)的大直径部分(30L)一边0.41×HL的距离点,其中,HL是水平偏转线圈(30a,30b)沿着管轴的整个长度。偏转轭有效地偏转电子束,且减小了偏转轭所需的偏转电源功率。具有该偏转轭的阴极射线管能够抑制在屏幕垂直方向上所产生的枕形失真类失真,因此能够显示较高质量的图像。

Patent Agency Ranking