公开(公告)号：CN100514034C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200510084697.6

申请日：2000-08-31

Applicant: 株式会社上睦可 ,  大阳日酸株式会社

Inventor： 长谷川博之 ,  山冈智则 ,  石原良夫 ,  增崎宏 ,  佐藤贵之 ,  铃木克昌 ,  德永裕树

IPC: G01N21/39 ,  C23C16/00 ,  H01L21/205

Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。

公开(公告)号：CN1854715A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510084697.6

申请日：2000-08-31

Applicant: 株式会社上睦可 ,  大阳日酸株式会社

Inventor： 长谷川博之 ,  山冈智则 ,  石原良夫 ,  增崎宏 ,  佐藤贵之 ,  铃木克昌 ,  德永裕树

IPC: G01N21/39 ,  C23C16/00 ,  H01L21/205

Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。