公开(公告)号：CN102113188B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200980129968.1

申请日：2009-07-20

申请人： 柏林工业大学

发明人： 姆米·温克尔恩肯帕 ,  安德烈·施利瓦 ,  迪特尔·宾贝格

IPC分类号： H01S5/34

CPC分类号： H01S5/34 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3412

摘要： 本发明涉及一种制造具有至少一个量子点的、生成纠缠光子对的光子对源的方法，其中，通过设定至少一个量子点的激子能级的精细结构劈裂来确定所述光子对源的工作特性。根据本发明设计成通过将所述至少一个量子点沉淀在半导体基底的{111}晶面上，来实现所述激子能级的精细结构劈裂的设定。

公开(公告)号：CN102113188A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129968.1

申请日：2009-07-20

申请人： 柏林工业大学

发明人： 姆米·温克尔恩肯帕 ,  安德烈·施利瓦 ,  迪特尔·宾贝格

IPC分类号： H01S5/34

CPC分类号： H01S5/34 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3412

摘要： 本发明涉及一种制造具有至少一个量子点的、生成纠缠光子对的光子对源的方法，其中，通过设定至少一个量子点的激子能级的精细结构劈裂来确定所述光子对源的工作特性。根据本发明设计成通过将所述至少一个量子点沉淀在半导体基底的{111}晶面上，来实现所述激子能级的精细结构劈裂的设定。