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公开(公告)号：CN113383253A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201980091029.6
申请日：2019-10-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B5/20 , F21V9/30 , F21V29/502 , F21V29/76 , G03B21/14 , F21Y115/30
Abstract: 本申请提供用于抑制波长转换部件温度上升的技术。本申请具备包含荧光体的荧光体层(20)、支撑荧光体层(20)的基板(30)以及与基板(30)接合的散热器(40)，其中，基板(30)的导热率比荧光体层(20)的导热率大，散热器(40)的导热率比基板(30)的导热率大或者散热器(40)的导热率比基板(30)的导热率小。
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公开(公告)号：CN111033328A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052500.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B5/20 , C09K11/06 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/70 , F21V9/08 , H01L33/50 , F21W103/10 , F21Y115/10 , F21Y115/30
Abstract: 本发明提供具有优异的散热性的波长转换构件。本申请的波长转换构件具备：波长转换粒子，其具有荧光体和将荧光体包围的第1基体；和第2基体，其具有比第1基体的热导率高的热导率，且将波长转换粒子包围。荧光体例如为选自由量子点制成的荧光体、由金属络合物制成的荧光体及有机荧光体中的至少一种。第1基体例如包含选自树脂及玻璃中的至少一种。第2基体例如包含无机晶体。无机晶体例如为氧化锌晶体。
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公开(公告)号：CN105423238B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510510691.4
申请日：2015-08-19
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: G03B21/204 , G02B27/141 , G03B21/2066 , H01L2933/0041 , H01S5/0092
Abstract: 本发明提供波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法。所述波长变换部件，具备：基板；分色镜层，被设置在基板上，且使来自上方的光的至少一部分反射；SiO2层，被设置在分色镜层上；ZnO层，被设置在SiO2层上；以及被设置在ZnO层上的含有多个荧光体的荧光体层，在荧光体层中，在多个荧光体之间设置ZnO。
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公开(公告)号：CN117157723A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280027928.1
申请日：2022-04-12
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01G9/028
Abstract: 电解电容器具备：阳极体、覆盖阳极体的电介质层、覆盖衍生物层的第1固体电解质层、以及覆盖第1固体电解质层的第2固体电解质层。第1固体电解质层包含以聚噻吩为基本骨架的第1导电性高分子，第2固体电解质层包含以聚吡咯为基本骨架的第2导电性高分子。第1固体电解质层的电导率为2S/cm以下。
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公开(公告)号：CN110799863B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201880042910.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本申请提供具有高可靠性的波长转换构件。本申请的波长转换构件(100)具备：荧光体层(20)，其具有包含ZnO的基体(21)和埋入基体(21)中的荧光体粒子(22)；和第1保护层(30)，其包含选自ZnCl2、ZnS及ZnSO4中的至少一种，且将荧光体层(20)覆盖。例如，第1保护层(30)与荧光体层(20)相接触。例如，ZnO为沿c轴取向的ZnO多晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110352368B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201880015139.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G03B21/20 , G03B21/16 , F21S41/20 , F21S45/47 , F21V9/30 , F21V29/71 , F21W102/00 , F21Y115/30
Abstract: 本发明的波长转换构件(10)具备：第一基体(22)；埋入第一基体(22)的荧光体粒子(23)；和选自埋入第一基体(22)的第一填料粒子(24)及分别覆盖荧光体粒子(23)的表面的表面覆盖层(25)中的至少一者。在第一基体(22)的折射率为n1、荧光体粒子(23)的折射率为n2、第一填料粒子(24)的折射率为n3、表面覆盖层(25)的折射率为n4时，波长转换构件(10)满足选自|n3‑n1|＞|n1‑n2|及|n4‑n1|＞|n1‑n2|中的至少1个关系。
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公开(公告)号：CN112639545A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057813.5
申请日：2019-07-05
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本申请提供能够提高光源装置的亮度的波长转换部件。本申请的波长转换部件(10)具备第一荧光体层(20)和第二荧光体层(30)，上述第一荧光体层(20)配置于激发光的入射侧，并且包含多个第一荧光体颗粒(23)，上述的第二荧光体层(30)配置于与入射侧相反侧，并且包含多个第二荧光体颗粒(33)。第一荧光体颗粒(23)包含活化成分，第二荧光体颗粒(33)包含与第一荧光体颗粒(23)中所包含的活化成分相同或不同的活化成分，第一荧光体层(20)中的活化成分的浓度比第二荧光体层(30)中的活化成分的浓度更低。
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公开(公告)号：CN111051933A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880053482.3
申请日：2018-08-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B5/20 , C30B7/00 , F21S2/00 , F21S41/20 , F21S41/37 , F21V7/30 , F21V9/20 , H01L33/50 , H01S5/022 , F21Y115/10 , F21Y115/20 , F21Y115/30
Abstract: 本申请的波长转换构件具备：基板；荧光体层，其具有包含氧化锌的基体和埋入基体中的荧光体粒子，且通过基板来支撑；电介体层，其配置于基板与荧光体层之间；和保护层，其配置于荧光体层与电介体层之间，等电点为7以上。基板的主表面例如包含第1区域和第2区域。荧光体层例如将第1区域及第2区域中的仅第1区域覆盖。
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公开(公告)号：CN106374027B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610346548.0
申请日：2016-05-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以抑制波长转换部件内的光的波导、具有高亮度、高发光效率的光源装置。光源装置含有：半导体发光元件、和将来自上述半导体发光元件的出射光的一部分进行波长转换的波长转换部件。上述波长转换部件含有：基板、配置于上述基板上的荧光体层、和配置于上述基板上、并且配置于上述荧光体层的周围的光反射层。上述荧光体层含有：荧光体粒子、和包埋上述荧光体粒子的第一基质材料。上述光反射层含有：无机化合物粒子、和包埋上述无机化合物粒子的第二基质材料。上述无机化合物粒子的折射率比上述第一基质材料的折射率高，上述第一基质材料的折射率比上述荧光体粒子的折射率高，上述荧光体粒子的折射率比上述第二基质材料的折射率高。
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