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公开(公告)号:CN1126126C
公开(公告)日:2003-10-29
申请号:CN95106049.X
申请日:1995-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/147 , G11B5/1877 , G11B5/3109 , G11B5/3113 , G11B5/3153 , G11B5/3156 , H01F10/30 , H01F10/32 , Y10S428/90 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明通过使主磁性层2和中间层3交替层叠形成磁性体薄膜1来提供具有良好的软磁特性的磁性体薄膜,主磁性层2由磁性结晶粒子构成,该磁性结晶粒子实质上具有柱状结构,具有0.3≤ds/dl≤0.9的形状比范围,其中dl是磁性结晶粒子的平均高度,ds是平均直径。上述中间层3的饱和磁通密度与上述主磁性层相比至少小0.1特斯拉以上。
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公开(公告)号:CN1121633A
公开(公告)日:1996-05-01
申请号:CN95106049.X
申请日:1995-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/147 , G11B5/1877 , G11B5/3109 , G11B5/3113 , G11B5/3153 , G11B5/3156 , H01F10/30 , H01F10/32 , Y10S428/90 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明通过使主磁性层2和中间层3交替层叠形成磁性体薄膜1来提供具有良好的软磁特性的磁性体薄膜,主磁性层2由磁性结晶粒子构成,该磁性结晶粒子实质上具有柱状结构,具有0.3≤ds/dl≤0.9的形状比范围,其中dl是磁性结晶粒子的平均高度,ds是平均直径。上述中间层3的饱和磁通密度与上述主磁性层相比至少小0.1特斯拉以上。
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