公开(公告)号：CN1258938A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN99104534.3

申请日：1999-03-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈宪树 ,  木下一成 ,  大畠积 ,  清水恭重

IPC: H01M6/18 ,  H01M10/40 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/0585

Abstract: 本发明涉及到聚合物电池。薄的多孔收集极以齐平状态位于正电极活性材料层的外端表面上,亦即,收集极掩埋在正电极活性材料层中,以致面向负电极的底平面到面向负电极一侧的正电极活性材料层的厚度为正电极活性材料总厚度的2/3—4/5。防止了正电极的收集极从正电极活性材料层剥离,此外提高了正电极活性材料的利用率。

公开(公告)号：CN1159786C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN99104534.3

申请日：1999-03-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈宪树 ,  木下一成 ,  大畠积 ,  清水恭重

IPC: H01M6/18 ,  H01M10/40 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/0585

Abstract: 本发明涉及到聚合物电池。薄的多孔收集极以齐平状态位于正电极活性材料层的外端表面上，亦即，收集极掩埋在正电极活性材料层中，以致面向负电极的底平面到面向负电极一侧的正电极活性材料层的厚度为正电极活性材料总厚度的2/3-4/5。防止了正电极的收集极从正电极活性材料层剥离，此外提高了正电极活性材料的利用率。