-
公开(公告)号：CN1098559A
公开(公告)日：1995-02-08
申请号：CN94105493.4
申请日：1994-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/08 , H01L21/02381 , H01L21/02466 , H01L21/02502 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L43/065 , Y10S438/974
Abstract: 本发明的半导体薄膜制造方法，其特征在于包括：除去表面由硅单晶组成的基板的表面氧化膜，由氢终止表面硅悬空键的工序；在该氢终止Si单晶基板上形成Al、Ga、In中至少选一种所组成的起始层的工序；在该起始层上形成至少含In与Sb的缓冲淀积层的工序；以高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该淀积层上形成至少含In与Sb的半导体薄膜的工序。本发明还包括加工上述方法所得半导体薄膜，在其上设电极的磁电变换元件制造方法。
-
公开(公告)号：CN1222200C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN02802547.4
申请日：2002-07-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/185 , H01G4/40 , H01G9/15 , H01L23/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H05K1/162 , H05K2201/0187 , H05K2203/0315 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种谋求使包含薄片状固体电解电容的电子零件的安装面积及体积小型化的电路微型组件，采用将薄片状固体电解电容埋入电路基板(18)的内部的结构，上述薄片状固体电解电容为将在阀金属片(11)表面形成电介质被覆膜(13)及集电体层(12)的叠层体安装在外装部(14、15)内部的电容。
-
公开(公告)号：CN1465214A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802547.4
申请日：2002-07-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/185 , H01G4/40 , H01G9/15 , H01L23/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H05K1/162 , H05K2201/0187 , H05K2203/0315 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种谋求使包含薄片状固体电解电容的电子零件的安装面积及体积小型化的电路微型组件，采用将薄片状固体电解电容埋入电路基板(18)的内部的结构，上述薄片状固体电解电容为将在阀金属片(11)表面形成电介质被覆膜(13)及集电体层(12)的叠层体安装在外装部(14、15)内部的电容。
-
公开(公告)号：CN1059756C
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN94105493.4
申请日：1994-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/08 , H01L21/02381 , H01L21/02466 , H01L21/02502 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L43/065 , Y10S438/974
Abstract: 本发明的半导体薄膜制造方法包括：在氢终止基板上形成由铝、镓、铟中选一种或两种所组成的厚度在0.1～3nm范围的起始层的工序；在该起始层上在250～430℃温度范围内开始成膜、成膜温度不高于430℃形成由铟与锑、或者是铝和镓中一种同铟与锑组成的缓冲淀积层的工序；以370～460℃温度范围内高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该缓冲淀积层上形成由铟与锑、或者是铋和镓中一种同铟与锑组成的半导体薄膜的工序。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.02 seconds)
