公开(公告)号：CN1992266A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610164224.1

申请日：2006-12-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 真壁良和 ,  山本睦

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L27/0259 ,  H01L2924/0002 ,  H03F1/52 ,  H03F2200/258 ,  H03F2200/441 ,  H03F2200/444 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体集成电路装置。目的在于：能够防止浪涌电压对内部电路的破坏，同时，在不受浪涌保护电路中耐压偏差的影响的情况下，保护提高半导体集成电路装置的特性的电容元件不被浪涌电压破坏。半导体集成电路装置，具有内部电路(1)、浪涌保护电路(6A)、电容元件(7)、金属氧化物半导体(MOS)晶体管(9)和控制电路(10)，该内部电路(1)连接在第一外部端子(2)、高电位电源端子(3)及低电位电源端子(4)的每一个上，该浪涌保护电路(6A)连接在第一外部端子(2)与低电位电源端子(4)之间，保护内部电路(1)不受施加在第一外部端子(2)上的浪涌电压的影响，该电容元件(7)的一端子与第一外部端子(2)连接，该金属氧化物半导体(MOS)晶体管(9)连接在该电容元件(7)的另一端子与低电位电源端子(4)之间，该控制电路(10)在浪涌电压施加在第一外部端子(2)上时，使内部电路(1)为停止状态，且不使金属氧化物半导体(MOS)晶体管(9)活性化。

公开(公告)号：CN1937402A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610154349.6

申请日：2006-09-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田琢磨 ,  山本睦

IPC: H03F3/68 ,  H03F1/52 ,  H04R3/00

CPC classification number: H03F3/45475 ,  H03F1/52 ,  H03F3/181 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/03 ,  H03F2200/78 ,  H03F2203/45138 ,  H03F2203/7227 ,  H03G3/342

Abstract: 该扬声器保护电路包括：电压比较器(30)，将构成BTL放大装置的放大电路的基准偏压端子(5)的电压与预先设置的阈值电压V1相比较；第一和第二开关(32、33)，切换向两个功率放大电路(15、16)的电流的供给和截断的，通过在基准偏压端子(4)的电压比阈值电压V1低时根据电压比较器(30)的输出电平断开第一和第二开关(32、33)中的至少一个，截断向功率放大电路(15、16)的电流供给，使基于功率放大电路(15、16)的扬声器(21)的驱动停止。因此，可以通过比较简单的结构来抑制由基准偏压端子的电压异常引起而产生的扬声器的偏置电流。

公开(公告)号：CN1397089A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN01804156.6

申请日：2001-02-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西谷辉 ,  山本睦 ,  武富义尚 ,  山本伸一 ,  三浦正范

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G01N21/95 ,  G01N2021/8427 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L22/00 ,  H01L22/26

Abstract: 提供一种在减少晶粒的粒径分散的同时改进粒径的周期性的非单晶薄膜的制造方法。为此，本发明的非单晶薄膜的制造方法包括：在非单晶薄膜形成之后，以衍射光监测使激光照射最优化的工序；和在冷却衬底的状态下，进行激光照射的工序。