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公开(公告)号：CN101164168A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013802.X
申请日：2006-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822 , G11C13/00 , H01L27/04
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 电气元件，具备第一电极(1)、第二电极(3)、以及在第一电极(1)和第二电极(3)之间被连接的可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)，含Fe(铁)及O(氧)作为构成元素，在薄膜厚度方向氧含有量被改变。
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公开(公告)号：CN101351888B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780001020.9
申请日：2007-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一电极、第二电极、以及连接到第一电极和第二电极之间的可变电阻薄膜。可变电阻薄膜含Fe3O4作为构成元素，并且，结晶粒径在5nm以上150nm以下。
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公开(公告)号：CN101164168B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680013802.X
申请日：2006-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822 , G11C13/00 , H01L27/04
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 电气元件，具备第一电极(1)、第二电极(3)、以及在第一电极(1)和第二电极(3)之间被连接的可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)，含Fe(铁)及O(氧)作为构成元素，在薄膜厚度方向氧含有量被改变。
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公开(公告)号：CN1817064A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018782.6
申请日：2004-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B33/14
CPC classification number: H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L51/0037 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/5036
Abstract: 发光元件(10)具有：相对置的空穴注入电极(2)与电子注入电极(8)；以及夹在上述空穴注入电极与电子注入电极之间，从上述空穴注入电极侧向上述电子注入电极侧依次层叠的空穴输送层(3)、发光体层(4)、以及电子输送层(7)；上述发光体层，含有表面的至少一部分被有机材料(5)所覆盖的无机荧光体层(4)。
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公开(公告)号：CN100505266C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680012006.4
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一端子(1)、第二端子(3)和可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)连接到第一端子(1)和第二端子(3)之间。并且，可变电阻薄膜(2)含Fe3O4结晶相和Fe2O3结晶相。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101160660A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012006.4
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一端子(1)、第二端子(3)和可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)连接到第一端子(1)和第二端子(3)之间。并且，可变电阻薄膜(2)含Fe3O4结晶相和Fe2O3结晶相。
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公开(公告)号：CN1817065A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018783.0
申请日：2004-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 电场发光元件(10)，具有相对置的一对阳电极(12)以及阴电极(13)，以及形成在上述一对阳电极与阴电极之间的一层或多层发光层(14)，至少一层上述发光层，由荧光体层(16)与宽能带隙的半导体层(15)构成。构成上述发光层的上述半导体层或上述荧光体层，可以是层的一部分不连续的不连续层。
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公开(公告)号：CN1150570C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN99106925.0
申请日：1999-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 名古久美男
CPC classification number: H05K9/0084 , B82Y25/00 , G11B5/3109 , G11B5/66 , G11B5/84 , H01F10/147 , H01F10/32 , H01F17/0013 , H01F17/06 , H02K37/00 , H05K9/0088 , Y10S428/90
Abstract: 本发明是在基片1上形成Fe-N系薄膜2，使主相是α-Fe和γ’-Fe4N，α-Fe和γ’-Fe4N相的晶粒细微化到10nm以下，并且与膜面平行的α-Fe的晶面(110)和γ’-Fe4N的晶面(200)的间隔，与无晶格畸变的状态相比更为伸展，γ’-Fe4N的晶面(111)的间隔与无晶格畸变的状态相比更为收缩，基于这样的组织，形成具有优异软磁性的高饱和磁通密度的软磁膜、软磁多层膜以及使用这些膜的磁体元件，满足电子设备的小型化、薄型化、轻型化以及高性能化的要求。
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公开(公告)号：CN1817064B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200480018782.6
申请日：2004-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B33/14
CPC classification number: H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L51/0037 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/5036
Abstract: 发光元件(10)具有：相对置的空穴注入电极(2)与电子注入电极(8)；以及夹在上述空穴注入电极与电子注入电极之间，从上述空穴注入电极侧向上述电子注入电极侧依次层叠的空穴输送层(3)、发光体层(4)、以及电子输送层(7)；上述发光体层，含有表面的至少一部分被有机材料(5)所覆盖的无机荧光体层(4)。
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公开(公告)号：CN1813499A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480018347.3
申请日：2004-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B33/14
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L33/08 , H01L51/007
Abstract: 一种发光元件(10)，具有：相互对置的一对电极(2、6)、和夹在所述一对电极之间的发光层，且该发光层包含表面的至少一部分被导电性有机材料(8)包覆的半导电性荧光体微粒(7)。所述导电性有机材料，优选化学吸附在半导电性荧光体微粒的表面。并且，优选在所述发光层和至少一方的电极之间还具有电子输送层(3、5)。
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