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公开(公告)号：CN118076558B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202380013943.5
申请日：2023-06-26
Abstract: 本发明的目的在于提供可获得高放电容量的难石墨化碳、锂离子二次电池用负极及锂离子二次电池。本发明的难石墨化碳的应变ε为0.081～0.120，所述应变ε是对X射线衍射图案进行特沃尔德分析而得到轮廓、并使用所述轮廓通过Williamson‑Hall法求得的，对所述X射线衍射图案进行特沃尔德分析而得到的与002反射相对应的晶面间距d002为0.360～0.370nm。
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公开(公告)号：CN118076558A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202380013943.5
申请日：2023-06-26
Abstract: 本发明的目的在于提供可获得高放电容量的难石墨化碳、锂离子二次电池用负极及锂离子二次电池。本发明的难石墨化碳的应变ε为0.081～0.120，所述应变ε是对X射线衍射图案进行特沃尔德分析而得到轮廓、并使用所述轮廓通过Williamson‑Hall法求得的，对所述X射线衍射图案进行特沃尔德分析而得到的与002反射相对应的晶面间距d002为0.360～0.370nm。
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公开(公告)号：CN118076559B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380013945.4
申请日：2023-06-26
Abstract: 本发明提供具有高放电容量的难石墨化碳、锂离子二次电池用负极及锂离子二次电池。本发明为一种难石墨化碳，其通过小角X射线散射测定并通过吉尼耶分析求得的散射矢量q的范围0.30nm‑1以上且0.40nm‑1以下的吉尼耶半径Rg1为3.00nm以上且5.80nm以下，散射矢量q的范围2.05nm‑1以上且2.85nm‑1以下的吉尼耶半径Rg2为0.35nm以上且0.57nm以下，而且，该难石墨化碳通过X射线衍射求得的(002)面的平均晶面间距d002为0.365nm以上且0.375nm以下。
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公开(公告)号：CN118076559A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202380013945.4
申请日：2023-06-26
Abstract: 本发明提供具有高放电容量的难石墨化碳、锂离子二次电池用负极及锂离子二次电池。本发明为一种难石墨化碳，其通过小角X射线散射测定并通过吉尼耶分析求得的散射矢量q的范围0.30nm‑1以上且0.40nm‑1以下的吉尼耶半径Rg1为3.00nm以上且5.80nm以下，散射矢量q的范围2.05nm‑1以上且2.85nm‑1以下的吉尼耶半径Rg2为0.35nm以上且0.57nm以下，而且，该难石墨化碳通过X射线衍射求得的(002)面的平均晶面间距d002为0.365nm以上且0.375nm以下。
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