公开(公告)号：CN109111472A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201811101305.6

申请日：2018-09-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 葛景园 ,  葛成芳 ,  陈忠研 ,  杜佳 ,  霍德璇

IPC: C07F5/00 ,  H01F1/42

CPC classification number: C07F5/003 ,  C07B2200/13 ,  H01F1/42

Abstract: 本发明公开了一种单双核共晶稀土磁性配合物及其制备方法。合成具有不同拓扑结构的新型稀土单分子磁体具有重要意义。本发明结构简式为：{[Ln(thd)4][Ln2(thd)6(CH3COO)][Tmim]2}，thd为2,2,6,6-四甲基庚二酮阴离子；Tmim为1,3,4,5-四甲基咪唑鎓阳离子；Ln为铽或镝；磁性测试表明，本发明的交流磁化率在零场下即呈现出典型的单分子磁体慢弛豫行为，可作为分子基磁性材料在高密度信息存储设备使用。本发明使用四甲基咪唑鎓盐向反应体系中引入平衡离子，控制β-二酮配体thd与稀土离子的自组装方式，得到结构新颖的单双核共晶配合物，制备方法简单、可控性好、纯度高。

公开(公告)号：CN109111472B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201811101305.6

申请日：2018-09-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 葛景园 ,  葛成芳 ,  陈忠研 ,  杜佳 ,  霍德璇

IPC: C07F5/00 ,  H01F1/42

Abstract: 本发明公开了一种单双核共晶稀土磁性配合物及其制备方法。合成具有不同拓扑结构的新型稀土单分子磁体具有重要意义。本发明结构简式为：{[Ln(thd)4][Ln2(thd)6(CH3COO)][Tmim]2}，thd为2,2,6,6‑四甲基庚二酮阴离子；Tmim为1,3,4,5‑四甲基咪唑鎓阳离子；Ln为铽或镝；磁性测试表明，本发明的交流磁化率在零场下即呈现出典型的单分子磁体慢弛豫行为，可作为分子基磁性材料在高密度信息存储设备使用。本发明使用四甲基咪唑鎓盐向反应体系中引入平衡离子，控制β‑二酮配体thd与稀土离子的自组装方式，得到结构新颖的单双核共晶配合物，制备方法简单、可控性好、纯度高。

公开(公告)号：CN108864211A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810617003.8

申请日：2018-06-14

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 葛景园 ,  潘颖 ,  陈忠研 ,  黄帅 ,  霍德璇

IPC: C07F19/00 ,  H01F1/42

Abstract: 本发明涉及基于酞菁的Ni(II)‑Ln(III)中性异双核配合物及其制备方法。本发明所述配合物的化学式为[(NiL)Ln(Pc)(CH3OH)]，其中Ln为稀土离子Dy(III)或者Tb(III)；L为1,1,1‑三[(亚水杨基氨基)甲基]乙烷的三价阴离子；Pc为酞菁分子的二价阴离子。配合物采用分步合成、室温溶剂扩散方法制备，本方法简单易行、可控性高、重复性强。所制备的配合物中有较强的铁磁相互作用，其交流磁化率在外加磁场存在时呈现出明显的频率依赖现象，具有单分子磁体的慢弛豫特征，可作为分子基磁性材料在高密度信息存储设备使用。