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公开(公告)号：CN113249684B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202110409689.3
申请日：2021-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高密度功能团簇材料及其制备方法，以Si(111)‑7×7再构表面为衬底，利用特制真空设备实现，所述特制真空设备包括真空腔体、外部电源，真空腔体内设有钴或镍的高纯度金属丝、衬底托，且高纯度金属丝、置于衬底托上的衬底均与设于真空腔体外的外部电源分别通过导线连接，真空腔体内可导入丙醇气体；通过对衬底进行弱电流加热、精准调控丙醇气体吸附、以及对高纯度金属丝进行强电流加热可以使得Co或Ni原子精准沉积于各个硅基底单元的中心区域。本发明所研制的高密度功能团簇材料，团簇与团簇之间的距离能够被有效控制在10nm以下，整体呈现规则阵列分布，且有效隔绝了团簇间的不良影响，具有良好的磁各向异性。
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公开(公告)号：CN113249688A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110409701.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于真空环境下的金属纳米材料蒸着装置和方法，包含上、下两个真空腔体，腔体之间设置有真空阀门；在上真空腔体内，主要设置有垂直操纵杆、高纯度金属棒、气体导入装置，气体导入装置通过针型阀连接丙醇，高纯度金属棒通过导线连接外部电源，垂直操纵杆上端通过限位器安装于上真空腔体上，限位器控制垂直操纵杆垂直移动并固定，垂直操纵杆下端开设有水平卡槽用于放置硅基底试样托；在下真空腔体内，主要设置有水平操纵杆、特制台架，特制台架底部为弹簧装置，特制台架上也开有水平卡槽用于放置目标基底试样托，水平操纵杆用于取放硅基底试样托以及目标基底试样托。该装置可使金属原子能以较低动能进行二次蒸着；设备成本、能耗较低。
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公开(公告)号：CN113249684A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110409689.3
申请日：2021-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高密度功能团簇材料及其制备方法，以Si(111)‑7×7再构表面为衬底，利用特制真空设备实现，所述特制真空设备包括真空腔体、外部电源，真空腔体内设有钴或镍的高纯度金属丝、衬底托，且高纯度金属丝、置于衬底托上的衬底均与设于真空腔体外的外部电源分别通过导线连接，真空腔体内可导入丙醇气体；通过对衬底进行弱电流加热、精准调控丙醇气体吸附、以及对高纯度金属丝进行强电流加热可以使得Co或Ni原子精准沉积于各个硅基底单元的中心区域。本发明所研制的高密度功能团簇材料，团簇与团簇之间的距离能够被有效控制在10nm以下，整体呈现规则阵列分布，且有效隔绝了团簇间的不良影响，具有良好的磁各向异性。
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公开(公告)号：CN113249688B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110409701.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于真空环境下的金属纳米材料蒸着装置和方法，包含上、下两个真空腔体，腔体之间设置有真空阀门；在上真空腔体内，主要设置有垂直操纵杆、高纯度金属棒、气体导入装置，气体导入装置通过针型阀连接丙醇，高纯度金属棒通过导线连接外部电源，垂直操纵杆上端通过限位器安装于上真空腔体上，限位器控制垂直操纵杆垂直移动并固定，垂直操纵杆下端开设有水平卡槽用于放置硅基底试样托；在下真空腔体内，主要设置有水平操纵杆、特制台架，特制台架底部为弹簧装置，特制台架上也开有水平卡槽用于放置目标基底试样托，水平操纵杆用于取放硅基底试样托以及目标基底试样托。该装置可使金属原子能以较低动能进行二次蒸着；设备成本、能耗较低。
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