公开(公告)号：CN106788266A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611022517.6

申请日：2016-11-18

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 樊凌雁 ,  袁志东 ,  范旭东

IPC: H03B5/24

Abstract: 本发明公开了一种高振荡频率的RC振荡器，其特征在于，包括运算放大器AMP1、电阻控制单元、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第一非门NG1、第二非门NG2、第三非门NG3、第四非门NG4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和RS触发器。与现有技术相比较，本发明的技术方案采用MOS管和反相器的结构替代现有技术中通过比较器来控制RC充放电，由于MOS管开关速度能达到1ns以内，从而大大减少了电路延迟，使振荡频率得到显著提高。

公开(公告)号：CN106788266B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201611022517.6

申请日：2016-11-18

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 樊凌雁 ,  袁志东 ,  范旭东

IPC: H03B5/24

Abstract: 本发明公开了一种高振荡频率的RC振荡器，其特征在于，包括运算放大器AMP1、电阻控制单元、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第一非门NG1、第二非门NG2、第三非门NG3、第四非门NG4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和RS触发器。与现有技术相比较，本发明的技术方案采用MOS管和反相器的结构替代现有技术中通过比较器来控制RC充放电，由于MOS管开关速度能达到1ns以内，从而大大减少了电路延迟，使振荡频率得到显著提高。