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公开(公告)号：CN105450185A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510939307.2
申请日：2015-12-15
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: H03F1/42 , H03F1/0288 , H03F3/213 , H03F3/217 , H03F2200/36
Abstract: 本发明公开了一种可重构高效率高线性宽带功率放大方法及放大器，放大器中不等分威尔金森功分器的一个输出端接载波功率放大器，另一个输出端接峰值功率放大器，载波功率放大器通过1/4波长阻抗变换器与功率合成器的一个输入端连接，峰值功率放大器的输出端接功率合成器的另一个输入端，功率合成器的输入端接负载调制网络；所述的负载调制网络，在传统的1/4波长传输线后再并联一段1/4波长传输线；拓宽了传统的Doherty的带宽；本发明可极大抑制“有效”负载阻抗随工作频率的漂移，从而提升Doherty放大器带宽这为提升Doherty放大器的整体带宽提供了保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104836533A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510270440.3
申请日：2015-05-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种功率放大器及其实现方法，装置部分包括主电路、反馈一路和反馈二路；所述的主电路包括第一输入匹配电路、第一输出匹配电路和偏置在B类功放芯片；反馈一路包括第二输入匹配电路、第二输出匹配电路和三分频器；反馈二路包括第三输入匹配电路、第三输出匹配电路和二分频器；发明在偏置在B类功放芯片输入输出端分别连接一个二分频器和三分频，形成两个正反馈电路，使功放芯片输出信号中的二次谐波和三次谐波分别经过分频器转化成基波，再反馈到芯片的输入端，不仅消除了输出信号中的高次谐波，提了高线性度，而且偏置在B类的功率放大器使电路拥有很高的效率。
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公开(公告)号：CN104883171A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510282496.0
申请日：2015-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路，将传统的单刀多掷开关电路，多掷分组，每组并联不超过4掷，每掷由一个串联MOSFET管和一个并联MOSFET管组成，每组电路再串联一个MOSFET管，然后相互并联到主通路；每个MOSFET管的衬底都串联一个电容，电容的另一端接地；电路中栅极控制电压接在每个MOS管的栅极，衬底控制电压接在衬底与电容间的节点上。本发明结构较为简单、功耗小、电路集成度高。
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公开(公告)号：CN204615766U
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201520342014.1
申请日：2015-05-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种功率放大器，装置部分包括主电路、反馈一路和反馈二路；所述的主电路包括第一输入匹配电路、第一输出匹配电路和偏置在B类功放芯片；反馈一路包括第二输入匹配电路、第二输出匹配电路和三分频器；反馈二路包括第三输入匹配电路、第三输出匹配电路和二分频器；实用新型在偏置在B类功放芯片输入输出端分别连接一个二分频器和三分频，形成两个正反馈电路，使功放芯片输出信号中的二次谐波和三次谐波分别经过分频器转化成基波，再反馈到芯片的输入端，不仅消除了输出信号中的高次谐波，提了高线性度，而且偏置在B类的功率放大器使电路拥有很高的效率。
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公开(公告)号：CN205304743U
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201521041251.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种可重构高效率高线性宽带功率放大器，放大器中不等分威尔金森功分器的一个输出端接载波功率放大器，另一个输出端接峰值功率放大器，载波功率放大器通过1/4波长阻抗变换器与功率合成器的一个输入端连接，峰值功率放大器的输出端接功率合成器的另一个输入端，功率合成器的输入端接负载调制网络；所述的负载调制网络，在传统的1/4波长传输线后再并联一段1/4波长传输线；拓宽了传统的Doherty的带宽；本实用新型可极大抑制“有效”负载阻抗随工作频率的漂移，从而提升Doherty放大器带宽这为提升Doherty放大器的整体带宽提供了保证。
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公开(公告)号：CN204615793U
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201520358124.7
申请日：2015-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本实用新型公开了一种高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路，将传统的单刀多掷开关电路，多掷分组，每组并联不超过4掷，每掷由串联一个MOSFET stack和并联一个MOSFET stack组成，每组电路再串联一个MOSFET stack管，然后相互并联到主通路；每个MOSFET管的衬底都串联一个电容，电容的另一端接地；电路中栅极控制电压接在每个MOSFET管的栅极，衬底控制电压接在衬底与电容间的节点上。本实用新型结构较为简单、功耗小、电路集成度高。
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