公开(公告)号：CN109545861B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201811276770.3

申请日：2018-10-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 程子峰 ,  张海鹏 ,  白建玲 ,  张强 ,  耿露

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管。本发明包括GaN基底、AlN缓冲层、n+‑GaN集电区层、i‑GaN第一隔离层、i‑AlGaN第一势垒层、i‑GaN量子阱层、i‑AlGaN第二势垒层、i‑GaN或者i‑InGaN第二隔离层、n+‑GaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚与发射区金属电极引脚。本发明针对现有技术的不足，提供一种具有多电流振荡峰‑谷的多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管,具有足够明显且可实用的多个负微分电阻区伏安特性，且其伏安特性在足够低的正偏压下的多个负微分电阻区具有适当的峰值电流与谷值电流比,能够实现更丰富多彩的多值逻辑电路及其应用系统。

公开(公告)号：CN109545861A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811276770.3

申请日：2018-10-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 程子峰 ,  张海鹏 ,  白建玲 ,  张强 ,  耿露

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管。本发明包括GaN基底、AlN缓冲层、n+-GaN集电区层、i-GaN第一隔离层、i-AlGaN第一势垒层、i-GaN量子阱层、i-AlGaN第二势垒层、i-GaN或者i-InGaN第二隔离层、n+-GaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚与发射区金属电极引脚。本发明针对现有技术的不足，提供一种具有多电流振荡峰-谷的多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管,具有足够明显且可实用的多个负微分电阻区伏安特性，且其伏安特性在足够低的正偏压下的多个负微分电阻区具有适当的峰值电流与谷值电流比,能够实现更丰富多彩的多值逻辑电路及其应用系统。