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公开(公告)号：CN105389443B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510916922.1
申请日：2015-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种忆感器对数模型及其等效电路，该电路包括集成运算放大器U1和乘法器U2，集成运算放大器U1用于实现积分运算、反向加法运算、对数运算和反向器；积分运算用于实现输入信号的积分，再通过反向加法器实现与常数的相加，相加的和输入到对数运算电路进行对数运算，再将对数运算结果输入到反相器进行取反，将取反后的信号输入到乘法器U2，乘法器U2的另一端与输入信号相连，乘法器U2用于实现信号的相乘，最终得到输出磁通量。本发明只含1个集成运放和1个乘法器，结构简单，用以模拟忆感器电流‑磁通的滞回特性，替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN105447270A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510940074.8
申请日：2015-12-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种指数型忆感器电路。本发明包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2和乘法器U3，电压u经过集成运算放大器U1构成磁通量产生电路，集成运算放大器U1用于实现积分运算和反相比例运算，将输出信号再经过集成运算放大器U2和乘法器U3最终得到电流量，集成运算放大器U2用于实现积分运算、指数运算和加法运算，得到需要的指数信号，乘法器U3实现将指数信号和得到的磁通量相乘，得到最终的忆感器电流量。本发明提出了一种实现忆感器特性的模拟电路，用以模拟忆感器的磁通电流特性，替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN105373678B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510909762.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种忆容器仿真器的电路，该电路包括集成运算放大器U1和乘法器U2，集成运算放大器U1用于实现积分器运算、反相放大器运算和加法器运算；积分器用于实现输入信号的积分，再通过第一反相放大器实现积分信号的反相放大，将反相放大后的信号输入到乘法器U2，乘法器U2的另一端与输入信号相连，乘法器U2用于实现信号的相乘；输入信号再通过第二反相放大器实现输入信号的反相放大，将反相放大后的信号输入到加法器，同时将通过乘法器U2相乘后的信号输入到加法器，加法器用于实现信号的求和运算，最终得到输出电荷量。本发明只含1个集成运放和1个乘法器，结构简单。
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公开(公告)号：CN105373677B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510908431.2
申请日：2015-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种磁控忆容器等效电路，忆容器两端的电压uAB由第一集成运算放大器U1采集得到，经过U1的积分器得到忆容器内部磁通量信号的电压值φAB，然后经过集成电路第一乘法器U2、第二乘法器U3和第二集成运算放大器U4能够反映磁控忆容器电荷信号的电压值。第一集成运算放大器U1和第二集成运算放大器U4实现了电压跟随器、减法器、反相放大器、积分器的功能，第一乘法器U2和第二乘法器U3实现了乘法器功能，当输入正弦激励信号时，可以用示波器观察其特性，电压信号与电荷信号的电压值之间满足“8”字形的紧致滞回曲线特性，且随信号频率的增加，其滞回旁瓣面积减小。
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公开(公告)号：CN105701306A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610032219.9
申请日：2016-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种指数型磁控忆容器等效电路。本发明中的集成电路U1和U3实现了电压跟随器、减法器、反相放大器、积分器、反向求和运算电路、指数运算电路等功能，集成电路U2和U4实现了乘法器功能，当输入正弦激励信号时，可以用示波器观察其特性，电压信号与电荷信号的电压值之间满足“8”字形的紧致滞回曲线特性，且随信号频率的增加，其滞回旁瓣面积减小。该电路结构清晰，易于分析测量，可进行忆容器在基础电路中特性的研究，以及在非线性电路中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105450210A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510967269.1
申请日：2015-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: H03K19/0002 , G11C13/0009
Abstract: 本发明公开了一种基于数字电位器的忆阻器仿真器电路。本发明根据HP实验室TiO2忆阻器的数学模型，对数学模型进行离散分析，获得了忆阻器数学模型的离散模型，根据所得出的离散数学模型，利用控制电路和数字电位器实现惠普实验室忆阻器模型。本发明提供的忆阻器仿真器包括数字电位器、高品质的仪表差分放大器、单片机。在无法获得纳米尺度单个孤立忆阻器器件的情况下，本发明提供的忆阻器仿真器可代替实际TiO2忆阻器进行忆阻器相关电路的设计与实验，也可用于其他需要忆阻器的领域。
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公开(公告)号：CN105373678A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510909762.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种忆容器仿真器的电路，该电路包括集成运算放大器U1和乘法器U2，集成运算放大器U1用于实现积分器运算、反相放大器运算和加法器运算；积分器用于实现输入信号的积分，再通过第一反相放大器实现积分信号的反相放大，将反相放大后的信号输入到乘法器U2，乘法器U2的另一端与输入信号相连，乘法器U2用于实现信号的相乘；输入信号再通过第二反相放大器实现输入信号的反相放大，将反相放大后的信号输入到加法器，同时将通过乘法器U2相乘后的信号输入到加法器，加法器用于实现信号的求和运算，最终得到输出电荷量。本发明只含1个集成运放和1个乘法器，结构简单。
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公开(公告)号：CN105375914B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201510908273.0
申请日：2015-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/00
Abstract: 本发明公开了一种实现忆感器特性的模拟电路，该电路包括忆感器等效电路和磁通量产生电路，磁通量产生电路由集成运算放大器U1构成作为忆感器等效电路的输入，集成运算放大器U1用于实现第一积分器和反向放大器；忆感器等效电路包括集成运算放大器U1和乘法器U2，集成运算放大器U1用于实现第二积分器和加法器；反向放大器和第二积分器与乘法器相连，实现信号的相乘，并将输出作用于加法器得到最终的忆感器电流量。该模拟电路只含有1个集成运算放大器芯片和1个乘法器，结构简单，在目前及未来无法获得实际忆感器件的情况下，可代替实际忆感器实现与忆感器相关的电路设计、实验以及应用，对忆感器的特性和应用研究具有重要的实际意义。
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公开(公告)号：CN105701306B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610032219.9
申请日：2016-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种指数型磁控忆容器等效电路。本发明中的集成电路U1和U3实现了电压跟随器、减法器、反相放大器、积分器、反向求和运算电路、指数运算电路等功能，集成电路U2和U4实现了乘法器功能，当输入正弦激励信号时，可以用示波器观察其特性，电压信号与电荷信号的电压值之间满足“8”字形的紧致滞回曲线特性，且随信号频率的增加，其滞回旁瓣面积减小。该电路结构清晰，易于分析测量，可进行忆容器在基础电路中特性的研究，以及在非线性电路中的应用。
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公开(公告)号：CN105389443A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510916922.1
申请日：2015-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5045
Abstract: 本发明公开了一种忆感器对数模型及其等效电路，该电路包括集成运算放大器U1和乘法器U2，集成运算放大器U1用于实现积分运算、反向加法运算、对数运算和反向器；积分运算用于实现输入信号的积分，再通过反向加法器实现与常数的相加，相加的和输入到对数运算电路进行对数运算，再将对数运算结果输入到反相器进行取反，将取反后的信号输入到乘法器U2，乘法器U2的另一端与输入信号相连，乘法器U2用于实现信号的相乘，最终得到输出磁通量。本发明只含1个集成运放和1个乘法器，结构简单，用以模拟忆感器电流-磁通的滞回特性，替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
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