公开(公告)号：CN105788863B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201610121876.0

申请日：2016-02-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 陈钢进 ,  许海东 ,  王振岳

IPC: H01G7/02 ,  B81C99/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种聚偏氟乙烯薄膜驻极体的制备方法，制备方式包括：(1)将纳米模板清洗烘干后放置到玻璃片上，纳米模板表面设有很多纳米级的凹孔，放置时模板表面朝上；(2)将聚偏氟乙烯溶解形成溶液；(3)将聚偏氟乙烯溶液涂于纳米模板上，放入烤箱烘烤后自然风干，形成聚偏氟乙烯薄膜；(4)将聚偏氟乙烯薄膜与纳米模板分离；(5)在高温下对聚偏氟乙烯薄膜进行电晕极化，极化温度为70℃～200℃,极化时间5‑10分钟。本发明制备的薄膜驻极体表面具有独特的微纳米结构，与模板容易脱离，且该驻极体同时具有静电效应和压电效应。

公开(公告)号：CN105788863A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610121876.0

申请日：2016-02-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 陈钢进 ,  许海东 ,  王振岳

IPC: H01G7/02 ,  B81C99/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种聚偏氟乙烯薄膜驻极体的制备方法，制备方式包括：(1)将纳米模板清洗烘干后放置到玻璃片上，纳米模板表面设有很多纳米级的凹孔，放置时模板表面朝上；(2)将聚偏氟乙烯溶解形成溶液；(3)将聚偏氟乙烯溶液涂于纳米模板上，放入烤箱烘烤后自然风干，形成聚偏氟乙烯薄膜；(4)将聚偏氟乙烯薄膜与纳米模板分离；(5)在高温下对聚偏氟乙烯薄膜进行电晕极化，极化温度为70℃～200℃,极化时间5?10分钟。本发明制备的薄膜驻极体表面具有独特的微纳米结构，与模板容易脱离，且该驻极体同时具有静电效应和压电效应。