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公开(公告)号:CN107896091A
公开(公告)日:2018-04-10
申请号:CN201711404326.0
申请日:2017-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03B19/14
CPC classification number: H03B19/14
Abstract: 本发明涉及一种低功耗宽频带二倍频器电路。现有频率源频率比较低限制了其在射频通信系统中的应用,通过压控振荡器级联倍频器的方法实现高频频率源。本发明包括一个push-push结构、一个输入巴伦、两个匹配网络;push-push结构由两个HBT三极管构成,输入巴伦是通过将两层金属上下层耦合的方式来实现,两个匹配网络包括输入匹配网络和输出匹配网络。本发明实现了较宽的频率工作范围和低功耗的性能。
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公开(公告)号:CN207782757U
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201721816698.X
申请日:2017-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本实用新型涉及一种低功耗宽频带二倍频器电路。现有频率源频率比较低限制了其在射频通信系统中的应用,通过压控振荡器级联倍频器的方法实现高频频率源。本实用新型包括一个push-push结构、一个输入巴伦、两个匹配网络;push-push结构由两个HBT三极管构成,输入巴伦是通过将两层金属上下层耦合的方式来实现,两个匹配网络包括输入匹配网络和输出匹配网络。本实用新型实现了较宽的频率工作范围和低功耗的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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