公开(公告)号：CN114561644B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202210170612.X

申请日：2022-02-24

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张雪峰 ,  李忠 ,  刘孝莲 ,  施舒妍 ,  刘星宇 ,  王丽娜 ,  刘先国 ,  李红霞

IPC: C23F4/00 ,  C22C45/00 ,  C22C1/11

Abstract: 本发明涉及一种网状结构的非晶纳米晶合金及其制备方法、应用，其制备方法，包括以下步骤：(1)将厚度小于50μm的非晶合金样品固定在离子减薄仪的支架上；(2)调整离子减薄仪的左、右离子枪的角度，在第一目标电压下对样品进行预处理第一目标时长；(3)减小左、右离子枪角度，降低施加电压至第二目标电压，在第二目标电压下对经过步骤(2)处理得到的样品进行处理第二目标时长，得到具有网状结构的非晶纳米晶合金。本发明采用离子减薄仪设备摆脱了高温对非晶合金样品的影响，可以有效解决非晶合金退火脆性对工业化应用的限制；其次，本发明制得的非晶纳米晶合金的纳米晶均匀分散在非晶骨架中，可得到更高的饱和磁感应强度和磁导率。

公开(公告)号：CN114561644A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210170612.X

申请日：2022-02-24

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张雪峰 ,  李忠 ,  刘孝莲 ,  施舒妍 ,  刘星宇 ,  王丽娜 ,  刘先国 ,  李红霞

IPC: C23F4/00 ,  C22C45/00

Abstract: 本发明涉及一种网状结构的非晶纳米晶合金及其制备方法、应用，其制备方法，包括以下步骤：(1)将厚度小于50μm的非晶合金样品固定在离子减薄仪的支架上；(2)调整离子减薄仪的左、右离子枪的角度，在第一目标电压下对样品进行预处理第一目标时长；(3)减小左、右离子枪角度，降低施加电压至第二目标电压，在第二目标电压下对经过步骤(2)处理得到的样品进行处理第二目标时长，得到具有网状结构的非晶纳米晶合金。本发明采用离子减薄仪设备摆脱了高温对非晶合金样品的影响，可以有效解决非晶合金退火脆性对工业化应用的限制；其次，本发明制得的非晶纳米晶合金的纳米晶均匀分散在非晶骨架中，可得到更高的饱和磁感应强度和磁导率。