一种基于高熔点元素晶界扩散的表面强化R-T-B稀土永磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN115732153A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202211452252.9

    申请日:2022-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于高熔点元素晶界扩散的表面强化R‑T‑B稀土永磁体及其制备方法。本发明采用重稀土元素(Dy、Tb、Ho中的至少一种)、高熔点元素(Zr、Ti)和低熔点金属(Al、Ga、Cu中的至少一种)制备扩散源,并对烧结态的磁体进行晶界扩散处理,制得表面强化的R‑T‑B稀土永磁体。本发明的晶界扩散的高熔点元素析出物可以抑制主相晶粒在晶界扩散过程中过度长大,实现细化主相晶粒的同时提高整块磁体主相晶粒尺寸的均匀性。本发明的晶界扩散磁体具有更高的矫顽力和方形度,降低晶界扩散后磁体剩磁的降低量;并且可以提高晶界富Nd相抵抗裂纹扩展能力,结合主相晶粒细化能够在提高磁体表面层的强硬度的同时提高磁体的断裂韧性,从而提高表面加工时产品的合格率。

    一种工业数据压缩存储方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117667868A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311821215.5

    申请日:2023-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种工业数据压缩存储方法,包括以下步骤:步骤S10:接收工业设备数据采集信息表格,并提取表格信息形成压缩模板文件,其中,压缩模板文件中设置了拟压缩的数据信息和压缩规则;步骤S20:获取工业数据包并解析数据包,将数据包内数据逐一与模板数据信息作比较,按照预定义的压缩规则对数据进行压缩处理;步骤S30:根据比较结果,得到压缩后的预存储数据。采用本发明的技术方案,面对重复单一的工业生产线场景,可以大幅提高数据的压缩率。

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