公开(公告)号：CN116911020A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310871247.X

申请日：2023-07-14

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 曾然 ,  吕晓燕 ,  方世超 ,  徐静俏 ,  杨淑娜 ,  李浩珍 ,  李齐良

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明属于光学技术领域，公开了一种基于有限厚度手征原子媒质的光学时域隐身的分析方法及系统，分析方法按如下步骤进行：S1、建立五能级手征原子媒质的模型；S2、确定一阶微扰近似下的五能级解；S3、确定子系统的内部解；S4、求取电磁场的等效电磁参数；S5、求取手征原子媒质的输出脉冲。本发明基于有限厚度手征原子媒质的光学时域隐身的分析方法及系统，能准确地反映出控制场、耦合场相位和振幅等对有限厚度手征原子媒质的光学时域隐身的影响。

公开(公告)号：CN117743728A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311770752.1

申请日：2023-12-21

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 曾然 ,  黄宇航 ,  高泰吉 ,  张小佩 ,  吕晓燕 ,  李浩珍

IPC: G06F17/10 ,  G01N21/41 ,  G01N21/59 ,  G01N21/19

Abstract: 本发明涉及基于具有特定四能级结构的手征原子媒质的光学特性分析方法及系统。方法如下：S1、建立具有特定四能级结构的手征原子媒质的模型；S2、根据四能级结构求解密度矩阵方程；S3、在给定的四能级手征原子媒质模型中，确定一阶微扰近似下的四能级解；S4、在四能级手征原子媒质模型中，求解直接极化率和交叉耦合极化率；S5、在四能级手征原子媒质模型中，求取四能级手征原子媒质电磁极化率、磁电耦合手征参数；求取给定的四能级手征原子媒质的折射率。本发明能够准确计算分析具有特定四能级结构手征原子媒质的光学特性参数，能准确地反映出外场及其失谐量对这类四能级手征原子媒质的极化率、手征参数以及折射率等光学特性的影响。