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公开(公告)号：CN112662159B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011509561.6
申请日：2020-12-19
申请人： 杭州本松新材料技术股份有限公司
IPC分类号： C08L69/00 , C08L51/04 , C08L55/02 , C08K13/02 , C08K3/22 , C08K3/32 , C08K5/134 , C08K5/103 , C08K3/26
摘要： 一种镀覆性、耐降解性好的聚碳酸酯激光直接成型材料，由以下重量百分比计的原料组成：聚碳酸酯基体：40‑95%，其他树脂基体：0‑30%，LDS添加剂：3‑15%，填料：0‑30%，酸性助剂：0.01‑2%，增韧剂：0‑5%，其他助剂：0.5‑2%，所述LDS添加剂为碱性含铜LDS添加剂；所述酸性助剂的主要成分为磷酸、亚磷酸、焦磷酸、偏磷酸、次磷酸、及前述酸的酸式盐中的一种或多种。本发明能提高激光直接成型材料的镀铜效率。磷酸类助剂与铜离子生成稳定的含铜的磷酸盐化合物，本发明实施例数据推断这些磷酸盐化合物在受到激光能量照射时，比铜铬尖晶石类LDS添加剂更容易释放出铜离子，与此同时，生成的磷酸盐化合物在PC树脂中通常容易迁移至树脂表面，从而进一步提升材料的镀铜效率。
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公开(公告)号：CN112646365B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011512233.1
申请日：2020-12-19
申请人： 杭州本松新材料技术股份有限公司
摘要： 本发明属于高分子材料技术领域，具体涉及一种低压电器用导热、阻燃聚酰胺组合物，按重量份计，包括：聚酰胺20~80；MCA 4~20；增强填料0~30；其他助剂0.1~10；非晶态二氧化硅粉15~40；所述非晶态二氧化硅粉的尺寸为1~30μm，其中二氧化硅含量≥99.5%。本申请配方导热系数可达0.5W/m·K以上，更有利于通过GB10963.1‑2005/IEC60898‑1:2002标准的温升测试，也满足密闭环境中制件散热需求，提高制件及其周围部件的使用寿命，尤其适用于5G基站配套机房的建设上。
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公开(公告)号：CN112662159A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011509561.6
申请日：2020-12-19
申请人： 杭州本松新材料技术股份有限公司
IPC分类号： C08L69/00 , C08L51/04 , C08L55/02 , C08K13/02 , C08K3/22 , C08K3/32 , C08K5/134 , C08K5/103 , C08K3/26
摘要： 一种镀覆性、耐降解性好的聚碳酸酯激光直接成型材料，由以下重量百分比计的原料组成：聚碳酸酯基体：40‑95%，其他树脂基体：0‑30%，LDS添加剂：3‑15%，填料：0‑30%，酸性助剂：0.01‑2%，增韧剂：0‑5%，其他助剂：0.5‑2%，所述LDS添加剂为碱性含铜LDS添加剂；所述酸性助剂的主要成分为磷酸、亚磷酸、焦磷酸、偏磷酸、次磷酸、及前述酸的酸式盐中的一种或多种。本发明能提高激光直接成型材料的镀铜效率。磷酸类助剂与铜离子生成稳定的含铜的磷酸盐化合物，本发明实施例数据推断这些磷酸盐化合物在受到激光能量照射时，比铜铬尖晶石类LDS添加剂更容易释放出铜离子，与此同时，生成的磷酸盐化合物在PC树脂中通常容易迁移至树脂表面，从而进一步提升材料的镀铜效率。
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公开(公告)号：CN112646365A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011512233.1
申请日：2020-12-19
申请人： 杭州本松新材料技术股份有限公司
摘要： 本发明属于高分子材料技术领域，具体涉及一种低压电器用导热、阻燃聚酰胺组合物，按重量份计，包括：聚酰胺20~80；MCA 4~20；增强填料0~30；其他助剂0.1~10；非晶态二氧化硅粉15~40；所述非晶态二氧化硅粉的尺寸为1~30μm，其中二氧化硅含量≥99.5%。本申请配方导热系数可达0.5W/m·K以上，更有利于通过GB10963.1‑2005/IEC60898‑1:2002标准的温升测试，也满足密闭环境中制件散热需求，提高制件及其周围部件的使用寿命，尤其适用于5G基站配套机房的建设上。
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