公开(公告)号：CN100456502C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200580011949.0

申请日：2005-04-08

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 久米智之 ,  小丸贵史

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种黄铜矿型薄膜太阳能电池用光吸收层的制造方法，具备黄铜矿类化合物(Cu(In+Ga)Se2)的构成成分在内部均匀分布的膜构造。本发明的光吸收层的制造方法包括：(1)在Mo电极层上利用溅射法层叠与该电极层邻接的In金属层和Cu-Ga合金层的前体形成工序；(2)在将形成有前体的基板(1)收纳于气密空间的状态下，向室温～250℃的温度范围的该空间内导入硒化氢气体的第一硒化工序；(3)向升温到250℃～450℃的温度范围的气密空间内追加导入硒化氢气体的第二硒化工序；(4)在残留到第二硒化工序为止导入的硒化氢气体的状态下，将气密空间内升温到450℃～650℃的温度范围，在该温度范围条件下进行上述基板的热处理的第三硒化工序；(5)将热处理后的基板冷却的冷却工序。

公开(公告)号：CN1943043A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011949.0

申请日：2005-04-08

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 久米智之 ,  小丸贵史

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种黄铜矿型薄膜太阳能电池用光吸收层的制造方法，具备黄铜矿类化合物(Cu(In＋Ga)Se2)的构成成分在内部均匀分布的膜构造。本发明的光吸收层的制造方法包括：(1)在Mo电极层上利用溅射法层叠与该电极层邻接的In金属层和Cu－Ga合金层的前体形成工序；(2)在将形成有前体的基板(1)收纳于气密空间的状态下，向室温～250℃的温度范围的该空间内导入硒化氢气体的第一硒化工序；(3)向升温到250℃～450℃的温度范围的气密空间内追加导入硒化氢气体的第二硒化工序；(4)在残留到第二硒化工序为止导入的硒化氢气体的状态下，将气密空间内升温到450℃～650℃的温度范围，在该温度范围条件下进行上述基板的热处理的第三硒化工序；(5)将热处理后的基板冷却的冷却工序。