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公开(公告)号：CN113745438A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110821831.5
申请日：2021-07-19
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积钙钛矿发光薄膜及其发光二极管，所述的大面积钙钛矿发光薄膜高度致密、光致发光效率高，该大面积钙钛矿发光薄膜的印刷制备方法，通过真空预处理能够将湿膜的溶剂挥发和钙钛矿薄膜热退火结晶两个关键步骤分开，从而实现钙钛矿发光薄膜制备过程中结晶动力学的控制，解决了传统旋涂工艺无法制备均匀的大面积钙钛矿发光层的问题。在大面积钙钛矿发光薄膜的印刷制备工艺基础上，同时制备出发光均匀、外量子效率高的大面积钙钛矿发光二极管，该制备发光二极管的工艺步骤简单，解决了目前制备工艺(如旋涂法、反溶剂萃取法)对钙钛矿发光二极管制备尺寸上的限制，得到了大面积发光强度均匀的钙钛矿发光二极管。
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