公开(公告)号：CN110212098A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910402820.6

申请日：2019-05-15

Applicant: 暨南大学

Inventor： 郭飞 ,  麦耀华 ,  邱舒迪

IPC: H01L51/48

Abstract: 本发明属于材料制备工艺领域，公开了一种钙钛矿多晶薄膜的印刷制备方法。本发明首先在钙钛矿前驱体溶液中加入适量添加剂得到混合溶液，然后在低温条件下将混合溶液印刷在基底上，形成一层前驱体湿膜，再将前驱体湿膜通过抽真空，形成中间相钙钛矿薄膜，最后经热退火处理，得到结晶度高、均一性良好的钙钛矿多晶薄膜。该方法通过添加剂的加入实现了对晶体质量和薄膜形貌的有效调控，且该方法具有广泛普适性可以拓展到Cs基全无机钙钛矿、FA基钙钛矿或含有FA/Cs混合钙钛矿，以及Pb/Sn混合钙钛矿等多种不同组分钙钛矿薄膜的制备。该方法简单易行，有助于实现钙钛矿电池和钙钛矿其他器件的大面积制备和产业化生产。

公开(公告)号：CN214830780U

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202120886350.8

申请日：2021-04-27

Applicant: 暨南大学

Inventor： 郭飞 ,  陈乙郡 ,  邱舒迪 ,  麦耀华

IPC: C30B29/12 ,  C30B28/04 ,  B05C11/10

Abstract: 一种集成涂布和真空辅助结晶的薄膜制备装置，包括操作台、密封圈、真空罩、涂膜器固定架、真空泵、抽气管、涂膜器；操作台上设有操作台面，操作台面位于操作台的上表面；密封圈固定地贴合于操作台面上，涂膜区位于密封圈内，密封圈的形状与真空罩的开口形状相同；涂膜器固定架与操作台滑动连接；操作台上开有第一气孔和第二气孔，第一气孔位于操作台面的密封圈内，第二气孔位于操作台后侧，第一气孔与第二气孔通过操作台内部管道连通，真空泵通过抽气管连接第二气孔。本实用新型在制备薄膜时，将涂布工艺和真空辅助结晶工艺置于同一设备中完成，可省去转移过程，提高制备效率与薄膜质量，属于薄膜制备领域。