公开(公告)号：CN111490598B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202010224870.2

申请日：2020-03-26

Applicant: 暨南大学

Inventor： 徐毅 ,  谢耀祖

IPC: H02J50/00 ,  H02J50/40 ,  H02J50/12 ,  H02J7/00

Abstract: 本发明公开一种基于磁谐振的无线充电方法，通过调节超表面的晶格常数，并根据预设的频率参数，在激励源的激励下，超表面工作于连续区束缚态模式，进而使得超表面的品质因数在单个谐振器的基础上有进一步地提升，能够极大地增强超表面的磁场强度，增大通过接收终端的磁通量，提高无线充电的效率和充电距离；此外，通过调节超表面的晶格常数，可以控制超表面介质柱单元之间的耦合，从而灵活地调控超表面的磁场分布；同时，调节晶格常数后能够使超表面的磁场强度逐渐发散，实现较均匀的磁场分布，从而实现高效率的多个接收终端进行充电。

公开(公告)号：CN111490598A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010224870.2

申请日：2020-03-26

Applicant: 暨南大学

Inventor： 徐毅 ,  谢耀祖

IPC: H02J50/00 ,  H02J50/40 ,  H02J50/12 ,  H02J7/00

Abstract: 本发明公开一种高效率的无线充电方法，通过调节超表面的晶格常数，并根据预设的频率参数，在激励源的激励下，超表面工作于连续区束缚态模式，进而使得超表面的品质因数在单个谐振器的基础上有进一步地提升，能够极大地增强超表面的磁场强度，增大通过接收终端的磁通量，提高无线充电的效率和充电距离；此外，通过调节超表面的晶格常数，可以控制超表面介质柱单元之间的耦合，从而灵活地调控超表面的磁场分布；同时，调节晶格常数后能够使超表面的磁场强度逐渐发散，实现较均匀的磁场分布，从而实现高效率的多个接收终端进行充电。