公开(公告)号：CN104820260A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510214888.3

申请日：2015-04-30

Applicant: 暨南大学

Inventor： 钟永春 ,  陈哲 ,  罗瑛 ,  夏亮

IPC: G02B6/02 ,  B01J13/00

CPC classification number: G02B6/02295

Abstract: 本发明公开了一种三维光子晶体光纤及其制备方法，其由普通光纤制作而成，其特征在于：光纤中包括一段长度为2-4mm的微纳光纤，微纳光纤的直径D为15-40μm，微纳光纤的两端均通过圆锥形过渡区与普通光纤相连接，圆锥形过渡区的长度为4-9mm，在微纳光纤的表面覆盖着胶体晶体。本发明利用拉锥后的微纳光纤自组装微球来制作光子晶体光纤，微纳光纤的强倏逝场使得光纤的传导模与胶体晶体耦合非常强，得到了很高的光谱响应。本发明工艺流程简单，器件稳定性良好，可进行批量化商用生产。

公开(公告)号：CN104820260B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510214888.3

申请日：2015-04-30

Applicant: 暨南大学

Inventor： 钟永春 ,  陈哲 ,  罗瑛 ,  夏亮

IPC: G02B6/02 ,  B01J13/00

Abstract: 本发明公开了一种三维光子晶体光纤及其制备方法，其由普通光纤制作而成，其特征在于：光纤中包括一段长度为2‑4mm的微纳光纤，微纳光纤的直径D为15‑40μm，微纳光纤的两端均通过圆锥形过渡区与普通光纤相连接，圆锥形过渡区的长度为4‑9mm，在微纳光纤的表面覆盖着胶体晶体。本发明利用拉锥后的微纳光纤自组装微球来制作光子晶体光纤，微纳光纤的强倏逝场使得光纤的传导模与胶体晶体耦合非常强，得到了很高的光谱响应。本发明工艺流程简单，器件稳定性良好，可进行批量化商用生产。

公开(公告)号：CN104976958A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510379682.6

申请日：2015-06-30

Applicant: 暨南大学

Inventor： 钟永春 ,  陈哲 ,  汪峰 ,  罗瑛

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明公开了一种侧边抛磨光纤剩余包层厚度检测方法，其特征在于具备步骤如下：（1）采用马赫曾德型透射式离轴全息成像系统，拍摄包括抛磨光纤结构信息的离轴全息图；（2）对离轴全息图进行相位重构；（3）对重构后的相位进行解包裹得到相位图；（4）相对于步骤（1）中，移除抛磨光纤，拍摄背景全息图，并依照步骤（2）和（3）进行相位重构和解包裹，得到背景相位图；（5）用步骤（4）得到的背景相位图对步骤（3）得到的相位图进行补偿以消除相位倾斜，得到抛磨光纤的相位图；（6）在抛磨光纤的相位图中提取结构信息，得到抛磨面与纤芯的距离，即剩余包层厚度。本发明方法可实现在线、无损测量，并能直接测量纤芯与抛磨面之间的距离。