一种用于降低金属纳米线熔点的墨水、光学不可视的图案电极的制备方法以及电极

    公开(公告)号:CN116285502A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310176253.3

    申请日:2023-02-27

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域,首先,提供一种用于降低金属纳米线熔点的墨水,以重量份数计,具体包括熔融化合物0.1份‑1份,极性溶剂95.2份‑99.7份;其中,所述熔融化合物选自金属卤化物、碘鎓盐、硝酸盐、碘酸盐、金属氧化物、卤水、一元酸中的任意两种或两种以上,本发明的墨水可显著降低金属纳米线的熔断温度,从而降低加热成本,降低加工难度。其次,本发明还提供一种光学不可视的图案电极的制备方法,工艺简单、加工精度高、实用性强,可有效增强金属纳米线图案电极的光电性能,适于规模化生产应用。再次,本发明还提供上述方法制备的光学不可视图案电极,具有高透过率和低散射等优势,总体光学性能优越。

    一种基于非线性分叉EP点的混沌信号发生装置

    公开(公告)号:CN117640062A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311663750.2

    申请日:2023-12-06

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于非线性分叉EP点的混沌信号发生装置,具体涉及混沌动力学和分叉理论,所述信号发生装置包含宇称时间反对称电路;所述宇称时间反对称电路包括两个LRC谐振器,通过一个电阻Rc进行耦合,每个谐振器由一个负电阻单元Rj、一个电容Cj和一个电感Lj组成,其中j表示谐振器的索引,该电路通过非线性诱导EP去简并,放大系统的敏感性。本发明所述的一种基于非线性分叉EP点的混沌信号发生装置,混沌信号的高度复杂性:采用非线性分叉EP点作为混沌信号发生装置的基础,可以产生高度复杂、随机和宽频谱的混沌信号,依据非线性分叉EP点可以产生宽频谱的信号和提升抗干扰性能。

    一种基于非赫尔米特增强拓扑保护的混沌光源系统

    公开(公告)号:CN115718394A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202211097630.6

    申请日:2022-09-08

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于非赫尔米特增强拓扑保护的混沌光源系统,包括光子零能模式产生模块和声子模式激发模块;所述光子零能模式产生模块,用于产生零能模式;所述声子模式激发模块,用于与所述零能模式非线性相互作用并产生声子,利用所述非线性相互作用的强度高于混沌光激发阈值,从而产生混沌光源。本发明利用光子零能模式,针对现有技术中光学芯片上混沌光源信号稳定性弱的不足,实现高稳定性的光学芯片混沌光源。本发明结构简单、稳定性强,能降低光学芯片系统研制的成本。

    一种用于降低金属纳米线熔点的墨水、光学不可视的图案电极的制备方法以及电极

    公开(公告)号:CN116285502B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310176253.3

    申请日:2023-02-27

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域,首先,提供一种用于降低金属纳米线熔点的墨水,以重量份数计,具体包括熔融化合物0.1份‑1份,极性溶剂95.2份‑99.7份;其中,所述熔融化合物选自金属卤化物、碘鎓盐、硝酸盐、碘酸盐、金属氧化物、卤水、一元酸中的任意两种或两种以上,本发明的墨水可显著降低金属纳米线的熔断温度,从而降低加热成本,降低加工难度。其次,本发明还提供一种光学不可视的图案电极的制备方法,工艺简单、加工精度高、实用性强,可有效增强金属纳米线图案电极的光电性能,适于规模化生产应用。再次,本发明还提供上述方法制备的光学不可视图案电极,具有高透过率和低散射等优势,总体光学性能优越。

    一种基于非线性效应的提升EP灵敏度的方法

    公开(公告)号:CN117890682B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202311823319.X

    申请日:2023-12-27

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于非线性效应的提升EP灵敏度的方法,具体涉及精细测量领域,其具体步骤如下:制作具有工程EP点的宇称时间反对称电路,对该电路进行振荡,得到宇称时间反对称破缺相。本发明针对在线性状态下提升系统灵敏度,即简并度,会导致系统鲁棒性降低的问题,解决了鲁棒性和灵敏度之间需要权衡的技术痛点;利用宇称时间反对称电路,通过实验证明了非线性对简并度提升的影响,在宇称时间反对称破缺相位下,特征模之间的非线性相互作用产生了十二阶非线性,导致了简并度提升,在保证检测极限的同时,六阶非线性分岔将灵敏度提高了11倍;方案结构简单、稳定性强,能够在不牺牲系统鲁棒性的情况下降系统的灵敏度提升一个数量级。

    一种基于非线性效应的提升EP灵敏度的方法

    公开(公告)号:CN117890682A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202311823319.X

    申请日:2023-12-27

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于非线性效应的提升EP灵敏度的方法,具体涉及精细测量领域,其具体步骤如下:制作具有工程EP点的宇称时间反对称电路,对该电路进行振荡,得到宇称时间反对称破缺相。本发明针对在线性状态下提升系统灵敏度,即简并度,会导致系统鲁棒性降低的问题,解决了鲁棒性和灵敏度之间需要权衡的技术痛点;利用宇称时间反对称电路,通过实验证明了非线性对简并度提升的影响,在宇称时间反对称破缺相位下,特征模之间的非线性相互作用产生了十二阶非线性,导致了简并度提升,在保证检测极限的同时,六阶非线性分岔将灵敏度提高了11倍;方案结构简单、稳定性强,能够在不牺牲系统鲁棒性的情况下降系统的灵敏度提升一个数量级。

    一种基于非赫尔米特增强拓扑保护的混沌光源系统

    公开(公告)号:CN115718394B

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202211097630.6

    申请日:2022-09-08

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于非赫尔米特增强拓扑保护的混沌光源系统,包括光子零能模式产生模块和声子模式激发模块;所述光子零能模式产生模块,用于产生零能模式;所述声子模式激发模块,用于与所述零能模式非线性相互作用并产生声子,利用所述非线性相互作用的强度高于混沌光激发阈值,从而产生混沌光源。本发明利用光子零能模式,针对现有技术中光学芯片上混沌光源信号稳定性弱的不足,实现高稳定性的光学芯片混沌光源。本发明结构简单、稳定性强,能降低光学芯片系统研制的成本。

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