公开(公告)号：CN1995492B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200610123988.6

申请日：2006-12-01

Applicant: 暨南大学

Inventor： 陈振强 ,  王如刚 ,  林浪 ,  胡国勇

IPC: C30B29/32 ,  C30B15/00 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开了一种获得大尺寸高质量掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法。该方法通过复合助熔剂的配比变化，结合化学式进行化学组分的配比，通过调节提拉速率、旋转速率和等径生长过程，获得所需要的大尺寸高光学质量单晶体。本发明还公开了上述激光晶体的生长装置。本发明通过改善复合助熔剂的特性、改进生长工艺、结合现有熔盐法与提拉法设备的各自优势，生长出了高质量的激光晶体。本发明结合了助熔剂法和提拉法生长晶体的各自优点，避免了非一致熔融材料生长周期过长、生长方法单一的缺点。

公开(公告)号：CN1995492A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610123988.6

申请日：2006-12-01

Applicant: 暨南大学

Inventor： 陈振强 ,  王如刚 ,  林浪 ,  胡国勇

IPC: C30B29/32 ,  C30B15/00 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开了一种获得大尺寸高质量掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法。该方法通过复合助熔剂的配比变化，结合化学式进行化学组分的配比，通过调节提拉速率、旋转速率和等径生长过程，获得所需要的大尺寸高光学质量单晶体。本发明还公开了上述激光晶体的生长装置。本发明通过改善复合助熔剂的特性、改进生长工艺、结合现有熔盐法与提拉法设备的各自优势，生长出了高质量的激光晶体。本发明结合了助熔剂法和提拉法生长晶体的各自优点，避免了非一致熔融材料生长周期过长、生长方法单一的缺点。