公开(公告)号：CN113816907A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202111116162.8

申请日：2021-09-23

Applicant: 暨南大学

Inventor： 周小平 ,  杨虎 ,  李丹

IPC: C07D231/12 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  C08J5/18 ,  C08L33/12 ,  C08K5/00

Abstract: 本发明属一价铜OLED技术领域，公开了一种环状三核亚铜配合物及其在OLED中的应用。因为Pt和Ir等金属昂贵的价格，亟需开发廉价的金属应用于OLED发光层，一价铜配合物有明显潜力。但一价铜配合物的报道并不多，非掺杂型就更少。本发明合成了一种环状三核亚铜配合物，该配合物的光致发光量子产率接近100％；并首次将该配合物用于OLED器件发光层，构筑了结构为ITO/HAT‑CN/TAPC/TCTA/Cu3L3/TmPyPb/LiF/Al的非掺杂型器件，所制备的器件最佳电致发光的外量子产率为4.00％，最大亮度为1200cd/m2。该器件有规模化制备的潜力，对于OLED产业具有重要的现实意义。

公开(公告)号：CN113816907B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202111116162.8

申请日：2021-09-23

Applicant: 暨南大学

Inventor： 周小平 ,  杨虎 ,  李丹

IPC: C07D231/12 ,  C09K11/06 ,  H10K85/30 ,  H10K50/11 ,  C08J5/18 ,  C08L33/12 ,  C08K5/00

Abstract: 本发明属一价铜OLED技术领域，公开了一种环状三核亚铜配合物及其在OLED中的应用。因为Pt和Ir等金属昂贵的价格，亟需开发廉价的金属应用于OLED发光层，一价铜配合物有明显潜力。但一价铜配合物的报道并不多，非掺杂型就更少。本发明合成了一种环状三核亚铜配合物，该配合物的光致发光量子产率接近100％；并首次将该配合物用于OLED器件发光层，构筑了结构为ITO/HAT‑CN/TAPC/TCTA/Cu3L3/TmPyPb/LiF/Al的非掺杂型器件，所制备的器件最佳电致发光的外量子产率为4.00％，最大亮度为1200cd/m2。该器件有规模化制备的潜力，对于OLED产业具有重要的现实意义。