公开(公告)号：CN116376431A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310310446.3

申请日：2023-03-28

Applicant: 暨南大学

Inventor： 史继富 ,  吴金磊 ,  杨志源 ,  陈泽鑫 ,  陈铭创 ,  蔡婉珠 ,  吴忠珏 ,  郑旭

IPC: C09D183/04 ,  C09D7/62 ,  H01G2/10

Abstract: 本发明公开了一种基于二维硫化钼的自修复超疏水防护封装复合涂层及其制备方法与应用。本发明通过将引入氨基酸或偶联剂改性二维片状硫化钼的有机硅胶作为基底，把具有紫外光响应的二氧化钛超疏水涂层作为表层，从而形成具有紫外光响应的自修复超疏水防护封装复合涂层。本发明，我们首创了采用自修复超疏水方式对钽电容进行封装，在原理上实现了创新，而且对钽电容内部结构影响甚微，成品率提升明显，根据老化实验结果，使用寿命可以达到12年以上。

公开(公告)号：CN116376431B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202310310446.3

申请日：2023-03-28

Applicant: 暨南大学

Inventor： 史继富 ,  吴金磊 ,  杨志源 ,  陈泽鑫 ,  陈铭创 ,  蔡婉珠 ,  吴忠珏 ,  郑旭

IPC: C09D183/04 ,  C09D7/62 ,  H01G2/10

Abstract: 本发明公开了一种基于二维硫化钼的自修复超疏水防护封装复合涂层及其制备方法与应用。本发明通过将引入氨基酸或偶联剂改性二维片状硫化钼的有机硅胶作为基底，把具有紫外光响应的二氧化钛超疏水涂层作为表层，从而形成具有紫外光响应的自修复超疏水防护封装复合涂层。本发明，我们首创了采用自修复超疏水方式对钽电容进行封装，在原理上实现了创新，而且对钽电容内部结构影响甚微，成品率提升明显，根据老化实验结果，使用寿命可以达到12年以上。