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公开(公告)号：CN117705762A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311589290.3
申请日：2023-11-27
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，为基于晶体电光效应的超高精度折射率变化测量系统与方法，包括激光器、干涉装置，干涉装置包括第一分束棱镜、第一光束处理组件、第二光束处理组件、晶体和第二分束棱镜；第一分束棱镜将激光器出射的光束分为两路，第一路光束入射到第一光束处理组件后形成平面光，第二路光束入射到第二光束处理组件后形成亚波长尺度的无衍射光束；无衍射光束经晶体后在第二分束棱镜与平面光合束形成具有叉形条纹的干涉光斑，且叉形条纹随施加在晶体上电压的变化而改变。本发明利用晶体的电光效应，调节施加在晶体上的电压，再利用设计的干涉装置收集干涉光斑，观察光斑叉形方向的变化，实现对晶体折射率变化的超高精度测量。
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