荧光材料及其制备方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101955772B

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN200910160716.7

    申请日:2009-07-17

    IPC分类号: C09K11/59

    摘要: 本发明涉及一种荧光材料及其制备方法。本发明公开了一种可发出红绿蓝三原色光的荧光材料,为主要以锰(Mn2+)及铕(Eu2+)为发光中心的碱土硅酸盐类。此荧光材料化学式为Sr(3±a)-x-yMg1.5±bSi1.5±cOz:Eux,Mny。通过产生主相Sr3MgSi2O8及副相Sr2SiO4,且发光中心锰及铕间的能量传递效应,可于紫外光激发下,发出红绿蓝三原色光混成于CIE坐标中位于白光的区域。此外本发明所公开的材料,其制备方法简易迅速、易大量生产,极具产业应用价值。

    光电半导体装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102361054A

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN201110332540.6

    申请日:2008-12-05

    IPC分类号: H01L33/38 H01L31/0224

    CPC分类号: H01L2924/0002 H01L2924/00

    摘要: 本发明公开了一种半导体光电元件,包含:基板;半导体系统,包含有源层形成于基板之上;及电极结构,形成于半导体系统之上,此电极结构包含:第一电性接触区或第一电性打线垫,第二电性打线垫,第一电性延伸线路,及第二电性延伸线路,其中第一电性延伸线路与第二电性延伸线路以立体跨接方式交错,且部分第一电性延伸线路与第一电性接触区或第一型打线垫位于有源层的相异两侧。

    光电元件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101931034A

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN200910146213.4

    申请日:2009-06-22

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: 本发明揭示一种光电元件,包含半导体叠层;第一透明导电氧化层位于此半导体叠层上,其中此第一透明导电氧化层具有至少一开口;以及第二透明导电氧化层,覆盖上述第一透明导电氧化层;此外,上述的第二透明导电氧化层填入第一透明导电氧化层的开口中并且与半导体叠层相接触,其中第一透明导电氧化层与第二透明导电氧化层中的任一层与半导体叠层形成欧姆接触。

    发光元件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101324320A

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:CN200810109878.3

    申请日:2008-06-05

    IPC分类号: F21V9/08 H01L33/00 F21Y101/02

    摘要: 本发明公开了一种发光元件,包含可发出第一波长光的发光二极管,以及位于发光二极管上方的荧光粉,用以吸收第一波长光而发出第二波长光。其中当第一波长光的波长小于430nm,且驱动发光二极管的驱动电流密度大于200mA/cm2时,其具有较高的发光效率与相对稳定的色温分布。其中,上述的发光元件是经由荧光粉直接涂布工艺(phosphor-on-chip process)所形成的荧光粉涂布晶片,再进行切割所制作而成。