公开(公告)号：CN115668539A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180037406.5

申请日：2021-05-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武田彬史 ,  藤田雅人 ,  伊藤祐司 ,  井上浩文

IPC: H01M4/38 ,  C01G23/00 ,  C01G33/00 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/485 ,  H01M4/587 ,  C01B32/05 ,  C01B32/25

Abstract: 本发明的课题是提供能够抑制Si‑C复合材料的经时氧化的复合粒子。本发明的复合粒子(B)是包含含有碳和硅的复合粒子(A)以及覆盖其表面的非晶质层的复合粒子(B)，在所述复合粒子(B)的拉曼光谱中，硅的峰存在于450～495cm‑1，将该峰的强度表示为ISi，将G带的强度(1600cm‑1附近的峰强度)表示为IG，并将D带的强度(1360cm‑1附近的峰强度)表示为ID时，ISi/IG为0.10以上且0.65以下，R值(ID/IG)为1.00以上且1.30以下，所述复合粒子(B)在使用Cu‑Kα射线的XRD谱图中，Si的111面的半峰宽为3.0度以上。

公开(公告)号：CN115699360A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180037791.3

申请日：2021-05-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 藤田雅人 ,  伊藤祐司 ,  井上浩文

IPC: H01M4/36 ,  C01B33/029 ,  H01M4/38 ,  C01B32/00

Abstract: 本发明的课题是提供一种碳被覆Si‑C复合粒子，其能够兼具维持锂离子二次电池的高Si利用率和抑制由经时氧化引起的初始库仑效率劣化。本发明的碳被覆Si‑C复合粒子，在含有碳材料和硅的Si‑C复合粒子表面存在碳质层，碳被覆率为70％以上，BET比表面积为200m2/g以下，在所述碳被覆Si‑C复合粒子的拉曼光谱中，R值(ID/IG)为0.30以上且1.10以下，由Si引起的峰存在于450～495cm‑1，将该峰的强度表示为ISi时，ISi/IG为0.15以下，所述碳被覆Si‑C复合粒子在使用Cu‑Kα射线的粉末XRD测定的XRD谱中，Si111面的半峰宽为3.00度以上，(SiC111面的峰强度)/(Si111面的峰强度)为0.01以下。

公开(公告)号：CN115668545A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180037826.3

申请日：2021-05-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 川口直登 ,  伊藤祐司 ,  藤田雅人 ,  井上浩文

IPC: H01M4/587 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  C01B32/05 ,  C01B32/354

Abstract: 本发明涉及一种复合体粒子，其含有硅和碳，用碳‑空孔二元体系的球模型对复合体粒子的小角X射线散射中得到的能谱进行拟合，在将拟合而得到的结构域尺寸的体积分布信息从小到大累计时，2nm以下的空孔的结构域尺寸区域为44体积％以上且70体积％以下，由使用氦气的定容积膨胀法测定干式密度而算出的真密度为1.80g/cm3以上且2.20g/cm3以下。