公开(公告)号：CN109937458A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201780070104.1

申请日：2017-11-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 藤平惠 ,  清水诚吾 ,  山田俊辅 ,  山木繁 ,  基里达·古纳努鲁克萨蓬

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  B05D7/24 ,  B32B7/02 ,  B05D5/12 ,  B32B27/18

Abstract: 本发明提供一种导电性膜，具有：高分子膜、形成在高分子膜的至少一面的基底树脂层、以及，包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线、和粘结剂树脂且形成在基底树脂层之上的导电层。导电层的表面电阻值为1.0×102～1.0×106Ω/□且表面电阻值的偏差为15％以下。

公开(公告)号：CN109937458B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201780070104.1

申请日：2017-11-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 藤平惠 ,  清水诚吾 ,  山田俊辅 ,  山木繁 ,  基里达·古纳努鲁克萨蓬

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  B05D7/24 ,  B05D5/12 ,  B32B27/18

Abstract: 本发明提供一种导电性膜，具有：高分子膜、形成在高分子膜的至少一面的基底树脂层、以及，包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线、和粘结剂树脂且形成在基底树脂层之上的导电层。导电层的表面电阻值为1.0×102～1.0×106Ω/□且表面电阻值的偏差为15％以下。