公开(公告)号：CN1826305B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200480021358.7

申请日：2004-07-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  酒井雄二 ,  涩谷智希

IPC: C07C17/38 ,  C07C19/08 ,  C07C17/383

CPC classification number: C07C17/38

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够有效生产可以用作半导体的蚀刻气体的高纯度HFC-41的方法。本发明提纯氟代甲烷的方法包括蒸馏含有氟代甲烷和氯化氢的混合物以从蒸馏塔顶部蒸出氟代甲烷并从蒸馏塔底部得到氟代甲烷和氯化氢的共沸混合物。

公开(公告)号：CN1826305A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480021358.7

申请日：2004-07-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  酒井雄二 ,  涩谷智希

IPC: C07C17/38 ,  C07C19/08 ,  C07C17/383

CPC classification number: C07C17/38

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够有效生产可以用作半导体的蚀刻气体的高纯度HFC－41的方法。本发明提纯氟代甲烷的方法包括蒸馏含有氟代甲烷和氯化氢的混合物以从蒸馏塔顶部蒸出氟代甲烷并从蒸馏塔底部得到氟代甲烷和氯化氢的共沸混合物。