公开(公告)号：CN1685533A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03823174.3

申请日：2003-08-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中岛健一郎

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  H01L35/28 ,  H01L35/34 ,  C22C12/00 ,  C22F1/00

Abstract: 一种用于形成填充的方钴矿基合金的方法，所述方法包括以下步骤：熔化合金原料以使其形成熔融物，所述原料包括至少是La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu及Yb中的一种物质的稀土金属R、至少是Fe、Co、Ni、Os、Ru、Pd、Pt及Ag中的一种物质的过渡金属T、以及金属锑Sb；以及通过条铸法对所述熔融物快速淬火，从而形成固化产物，所述固化产物是有利于用来制造热电元件的填充的方钴矿基合金。

公开(公告)号：CN114830122A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080087033.8

申请日：2020-12-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 田边千夏 ,  高仁子 ,  武内菜央 ,  武田领子 ,  中岛健一郎 ,  宫下知子

IPC: G06F40/205 ,  G06Q50/18 ,  G06F40/106 ,  G06F40/279

Abstract: 一种信息处理装置，包括：分析部，对专利文献数据中包含的表示权利要求书的文本数据进行分析，以针对所述权利要求书中包含的每个权利要求，对发明的构成要素进行确定；以及显示控制部，将表示所述权利要求书的各个权利要求的文本分割成每个所述构成要素并显示在显示装置上。

公开(公告)号：CN100477309C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN03823174.3

申请日：2003-08-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中岛健一郎

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  H01L35/28 ,  H01L35/34 ,  C22C12/00 ,  C22F1/00

Abstract: 一种用于形成填充的方钴矿基合金的方法，所述方法包括以下步骤：在800～1800℃的温度下熔化合金原料以使其形成熔融物，所述原料包括至少是La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu及Yb中的一种物质的稀土金属R、至少是Fe、Co、Ni、Os、Ru、Pd、Pt及Ag中的一种物质的过渡金属T、以及金属锑Sb；以及通过条铸法以102～104℃/秒的冷却速度对所述熔融物快速淬火，从而形成固化产物，所述固化产物是有利于用来制造热电元件的填充的方钴矿基合金，所述冷却速度在不低于800℃的所述熔融物的温度的范围内测得。