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发明公开
电容传感器审中-实审

公开(公告)号：CN113760135A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110619108.9

申请日：2021-06-03

Applicant: 星电株式会社

Inventor： 山本和央 , 李京浩

IPC: G06F3/044 , G06F3/041

Abstract: 电容传感器。本发明增加了导体沉积物造成检测电极与驱动电极之间的电容变化的可能性。电容传感器(S1)包括基板(100)、检测电极(200)、驱动电极(300)和控制器(500)。基板的一个或多个层(110)包括第一面(110a)和第二面(110b)。检测电极包括在第一面上以分隔开的间隔排列的多条第一检测线(210)。驱动电极包括多条第一驱动线(310)，各第一驱动线位于第一面或第二面中的一个上的相邻两条第一检测线之间。控制器被配置为使检测电极充电和放电，并向驱动电极(300)供应驱动脉冲。控制器(500)还被配置为基于检测电极(200)与检测目标之间的第一电容的变化以及检测电极(200)与驱动电极(300)之间的第二电容的变化来检测检测目标。

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