公开(公告)号：CN1237756A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99106478.X

申请日：1993-08-20

Applicant: 明尼苏达州采矿和制造公司

Inventor： T·A·舒尔茨

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/4893 ,  G11B5/584

Abstract: 一种双向薄膜磁阻磁带磁头装置(180)。本发明通过以下方式最大限度地减少了对该磁头装置的磨损：(1)最大限度地减少该读取元件(186)及其相应的写出元件(198)之间的距离，(2)由硬材料制成该磁头装置，和(3)将一硬块件(50)置于该读取和写出元件之间。该磁头装置每数据磁道仅使用一副读取和写出元件，但各副之间彼此方向相反，以使该磁头装置能够在磁带上双向读写并行。

公开(公告)号：CN1051394C

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN93109294.9

申请日：1993-08-20

Applicant: 明尼苏达州采矿和制造公司

Inventor： T·A·舒尔茨

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/4893 ,  G11B5/584

Abstract: 公开了一种薄膜磁电阻磁带磁头及其制法。本发明通过以下方式最大限度地减少了对该磁头装置的磨损；(1)最大限度地减少该读取元件(186)及其相应的写出元件(198)之间的距离，(2)由硬材料制成该磁头装置，和(3)将一硬块件(50)置于该读取和写出元件之间。该磁头装置每数据磁道仅使用一副读取和写出元件，但各副之间彼此方向相反，以使该磁头装置能够在磁带上双向读写并行。

公开(公告)号：CN1532813A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410039685.7

申请日：1993-08-20

Applicant: 明尼苏达州采矿和制造公司

Inventor： T·A·舒尔茨

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/4893 ,  G11B5/584

Abstract: 一种双向薄膜磁阻磁带磁头装置(180)。本发明通过以下方式最大限度地减少了对该磁头装置的磨损：(1)最大限度地减少该读取元件(186)及其相应的写出元件(198)之间的距离，(2)由硬材料制成该磁头装置，和(3)将一硬块件(50)置于该读取和写出元件之间。该磁头装置每数据磁道仅使用一副读取和写出元件，但各副之间彼此方向相反，以使该磁头装置能够在磁带上双向读写并行。

公开(公告)号：CN1149540C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN99106478.X

申请日：1993-08-20

Applicant: 明尼苏达州采矿和制造公司

Inventor： T·A·舒尔茨

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/4893 ,  G11B5/584

Abstract: 公开了一种双向薄膜磁带磁头装置(380)，包括第一和第二组件以及固定两组件的装置(392)。还公开了双向薄膜磁带磁头装置(580)。

公开(公告)号：CN1083614A

公开(公告)日：1994-03-09

申请号：CN93109294.9

申请日：1993-08-20

Applicant: 明尼苏达州采矿和制造公司

Inventor： T·A·舒尔茨

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/4893 ,  G11B5/584

Abstract: 一种双向薄膜磁阻磁带磁头装置(180)。本发明通过以下方式最大限度地减少了对该磁头装置的磨损：(1)最大限度地减少该读取元件(186)及其相应的写出元件(198)之间的距离，(2)由硬材料制成该磁头装置，和(3)将一硬块件(50)置于该读取和写出元件之间。该磁头装置每数据磁道仅使用一副读取和写出元件，但各副之间彼此方向相反，以使该磁头装置能够在磁带上双向读写并行。