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公开(公告)号：CN105110287B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510449277.7
申请日：2015-07-28
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： B81C1/00 , H01L31/18 , H01L21/268
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种飞秒激光网格化铁电陶瓷方法，属于微细加工技术领域。本发明飞秒激光网格化铁电陶瓷方法，是用光刻、金属沉积、刻蚀的方法在铁电陶瓷上制备网格化的金属图案，飞秒激光刻蚀根据预先制备的网格化金属图案进行网格加工，实现了高精度网格列阵。本发明不通过控制加工台移动的步进精度来控制加工的误差，而是通过预先制备的网格化图案进行加工，消除加工台产生的机械累计误差，并解决了铁电非制冷焦平面探测器组件横向热扩散的难题，提高了探测器组件的空间分辨率，有效提高了探测器的性能。本发明不仅可广泛应用到大列阵规模高精度网格阵列制备，还可以推广到大列阵规模高精度的圆柱阵列、圆孔阵列等多种图形的微细加工。
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公开(公告)号：CN105140337B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510449230.0
申请日：2015-07-28
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开一种光电传感器冷压焊倒装互连方法，在玻璃基底上用蜡粘接光电敏感单元，并在光电敏感单元上通过常规沉积方法间隔设置第一粘接金属，再在第一粘接金属表面设置第一粘接金属，得到光电敏感元；在信号放大读出电路上间隔设置第二粘接金属，再在第二粘接金属表面设置第二粘接金属，得到信号处理元；将第二粘接金属和第一粘接金属对准，并在室温下施加压力完成冷压焊，使信号处理元的第二粘接金属发生形变，并嵌入到光电敏感元的第一粘接金属中，再去除玻璃基底和蜡，即得到倒装互连的光电传感器。本发明避免了软质金属加热回流对敏感元的损害，不仅简化工艺、降低工艺成本，还增加了光电传感器倒装互连的应用范围。
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公开(公告)号：CN105070786B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510449310.6
申请日：2015-07-28
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及热释电混合式非制冷焦平面探测器的读出电路引出电极及其制备方法，具体涉及一种可以具有抗高温氧化特性的引出电极，阻止读出电路的Al引出电极在高温工艺中的热扩散和氧化。读出电路引出电极为复合结构，本发明在硅工厂加工完的读出电路上，依次分别制备Ti金属层或Cr金属层、Pa金属层或Pt金属层、Au金属层或Ti金属层，最终形成的引出电极为四层结构复合电极。本发明不仅实现了与Al电极的欧姆接触，同时在后续凸台制备过程中四层复合引出电极具有抗高温氧化特性，具有较强的工艺兼容性，保证了探测器的信号有效读出，有效提高了探测器组件的成品率。
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公开(公告)号：CN105140337A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510449230.0
申请日：2015-07-28
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1876
摘要： 本发明公开一种光电传感器冷压焊倒装互连方法，在玻璃基底上用蜡粘接光电敏感单元，并在光电敏感单元上通过常规沉积方法间隔设置第一粘接金属，再在第一粘接金属表面设置第一粘接金属，得到光电敏感元；在信号放大读出电路上间隔设置第二粘接金属，再在第二粘接金属表面设置第二粘接金属，得到信号处理元；将第二粘接金属和第一粘接金属对准，并在室温下施加压力完成冷压焊，使信号处理元的第二粘接金属发生形变，并嵌入到光电敏感元的第一粘接金属中，再去除玻璃基底和蜡，即得到倒装互连的光电传感器。本发明避免了软质金属加热回流对敏感元的损害，不仅简化工艺、降低工艺成本，还增加了光电传感器倒装互连的应用范围。
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公开(公告)号：CN105110287A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510449277.7
申请日：2015-07-28
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： B81C1/00 , H01L31/18 , H01L21/268
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种飞秒激光网格化铁电陶瓷方法，属于微细加工技术领域。本发明飞秒激光网格化铁电陶瓷方法，是用光刻、金属沉积、刻蚀的方法在铁电陶瓷上制备网格化的金属图案，飞秒激光刻蚀根据预先制备的网格化金属图案进行网格加工，实现了高精度网格列阵。本发明不通过控制加工台移动的步进精度来控制加工的误差，而是通过预先制备的网格化图案进行加工，消除加工台产生的机械累计误差，并解决了铁电非制冷焦平面探测器组件横向热扩散的难题，提高了探测器组件的空间分辨率，有效提高了探测器的性能。本发明不仅可广泛应用到大列阵规模高精度网格阵列制备，还可以推广到大列阵规模高精度的圆柱阵列、圆孔阵列等多种图形的微细加工。
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公开(公告)号：CN105004430A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510449198.6
申请日：2015-07-28
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： G01J5/10
摘要： 本发明公开了一种非制冷红外焦平面探测器的光电敏感单元，旨在提供一种测量分辨率高、灵敏度高的非制冷红外焦平面探测器的光电敏感单元。它包括由半透明金属层、有机介质层及反射金属层叠置构成的谐振腔，以及固定设置于谐振腔下方用于实现光电信号转换的探测器单元；所述谐振腔的半透明金属层、有机介质层及反射金属层中至少一层设置有镂空的线条和/或图形。本发明通过对谐振腔的相应层进行镂空，有效减小谐振腔的热串扰，提高探测器单元的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN105004430B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201510449198.6
申请日：2015-07-28
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： G01J5/10
摘要： 本发明公开了一种非制冷红外焦平面探测器的光电敏感单元，旨在提供一种测量分辨率高、灵敏度高的非制冷红外焦平面探测器的光电敏感单元。它包括由半透明金属层、有机介质层及反射金属层叠置构成的谐振腔，以及固定设置于谐振腔下方用于实现光电信号转换的探测器单元；所述谐振腔的半透明金属层、有机介质层及反射金属层中至少一层设置有镂空的线条和/或图形。本发明通过对谐振腔的相应层进行镂空，有效减小谐振腔的热串扰，提高探测器单元的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN105070786A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510449310.6
申请日：2015-07-28
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/022408
摘要： 本发明涉及热释电混合式非制冷焦平面探测器的读出电路引出电极及其制备方法，具体涉及一种可以具有抗高温氧化特性的引出电极，阻止读出电路的Al引出电极在高温工艺中的热扩散和氧化。读出电路引出电极为复合结构，本发明在硅工厂加工完的读出电路上，依次分别制备Ti金属层或Cr金属层、Pa金属层或Pt金属层、Au金属层或Ti金属层，最终形成的引出电极为四层结构复合电极。本发明不仅实现了与Al电极的欧姆接触，同时在后续凸台制备过程中四层复合引出电极具有抗高温氧化特性，具有较强的工艺兼容性，保证了探测器的信号有效读出，有效提高了探测器组件的成品率。
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