近红外线遮蔽体及显示器用前面板

    公开(公告)号:CN100538410C

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200510115316.6

    申请日:2005-11-14

    Abstract: 具有高近红外线遮蔽性,即使长时间保存近红外线吸收能力也不会降低且耐光性高的近红外线遮蔽体,其包含基材(1)和配置在基材(1)的一个主面上的近红外线吸收层(2),近红外线吸收层(2)包含含有磺酸酰亚胺衍生物的二亚铵化合物以及由式(1)的取代苯二硫醇金属络合物阴离子和式(2)的阳离子的抗衡离子结合体形成的化合物。式(1)的R1、R2为碳原子数1~6的烷基、碳原子数1~8的烷氨基、取代或未取代的吗啉代基、取代或未取代的硫代吗啉代基、取代或未取代的哌嗪基以及取代或未取代的苯基,M为过渡金属。式(2)的Q1、Q2为五元或六元含氮杂环、含有五元或六元含氮杂环的缩合环,R3、R4为碳原子数1~8的烷基,n为数字2、3或4。

    近红外线遮蔽体及显示器用前面板

    公开(公告)号:CN1776465A

    公开(公告)日:2006-05-24

    申请号:CN200510115316.6

    申请日:2005-11-14

    Abstract: 具有高近红外线遮蔽性,即使长时间保存近红外线吸收能力也不会降低且耐光性高的近红外线遮蔽体,其包含基材(1)和配置在基材(1)的一个主面上的近红外线吸收层(2),近红外线吸收层(2)包含含有磺酸酰亚胺衍生物的二亚铵化合物以及由式(1)的取代苯二硫醇金属络合物阴离子和式(2)的阳离子的抗衡离子结合体形成的化合物。式(1)的R1、R2为碳原子数1~6的烷基、碳原子数1~8的烷氨基、取代或未取代的吗啉代基、取代或未取代的硫代吗啉代基、取代或未取代的哌嗪基以及取代或未取代的苯基,M为过渡金属。式(2)的Q1、Q2为五元或六元含氮杂环、含有五元或六元含氮杂环的缩合环,R3、R4为碳原子数1~8的烷基,n为数字2、3或4。

    光电转换元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1610987A

    公开(公告)日:2005-04-27

    申请号:CN03801244.8

    申请日:2003-06-13

    Abstract: 本发明涉及具备粘合有担载敏化色料的半导体层(7)的电极(5),该半导体层(7)包含半导体粒子和粘合剂,而且半导体层(7)的多孔度在40~80%范围内的光电转换元件,还涉及在电极(5)上涂布包含半导体粒子和粘合剂的溶液,干燥后,以20~200MPa的压力进行压制而形成半导体层(7)的光电转换元件的制造方法。这样,即使不在高温进行烧结,也能够提供使用能确保光激发电子的传输路径、而且能适应基体材料的可挠性的强粘合力的半导体层的、显示优良的光电转换特性的光电转换元件。

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