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公开(公告)号：CN1156306A
公开(公告)日：1997-08-06
申请号：CN96114507.2
申请日：1996-11-04
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 黑泽久夫 , 三俣千春 , 小林俊雄 , 野口伸
IPC: G11B5/39
Abstract: 用于MR磁头的磁阻(MR)敏感元件包含磁阻铁磁体层(MR层)和与MR层表面直接接触的反铁磁体层。MR层具有面心立方(fcc)结构。反铁磁体层的晶体结构在MR层和反铁磁体层界面附近是fcc结构，而且朝着面对界面的表面连续变成面心四面体(fct)结构。MR层和反铁磁体层的界面就晶体结构而言由于反铁磁体层在MR层表面上的外沿生长而是连续的。
