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公开(公告)号：CN101427365B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780014506.6
申请日：2007-08-27
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L23/02 , G01P15/08 , G01P15/12 , H01L21/306 , H01L29/84
CPC classification number: G01P15/125 , B81C1/00873 , G01C19/5719 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种通过MEMS技术制造的半导体传感器件，其中加工技术和/或材料技术与用于检测和测量各个物理量的半导体技术结合。在该半导体传感器件中，盖芯片和模制树脂中产生的破裂被消除，并保证半导体传感器芯片和盖芯片之间的气密性。通过使盖芯片的周围侧表面作为湿法蚀刻表面，可以由于消除切割时施加的震动而引起的破裂。此外，通过用绝缘保护膜包覆盖芯片侧表面来保证绝缘。
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公开(公告)号：CN101427365A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014506.6
申请日：2007-08-27
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L23/02 , G01P15/08 , G01P15/12 , H01L21/306 , H01L29/84
CPC classification number: G01P15/125 , B81C1/00873 , G01C19/5719 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种通过MEMS技术制造的半导体传感器件，其中加工技术和/或材料技术与用于检测和测量各个物理量的半导体技术结合。在该半导体传感器件中，盖芯片和模制树脂中产生的破裂被消除，并保证半导体传感器芯片和盖芯片之间的气密性。通过使盖芯片的周围侧表面作为湿法蚀刻表面，可以由于消除切割时施加的震动而引起的破裂。此外，通过用绝缘保护膜包覆盖芯片侧表面来保证绝缘。
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公开(公告)号：CN1936591A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610154224.3
申请日：2006-09-15
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: G01P1/023 , B81B2201/025 , B81C1/0023 , G01P15/0802 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/10253 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在具有用于调整板的IC芯片的位移检测器件中，在组装或使用该器件期间，硅破裂碎片可能会从松动切屑上掉落，并影响位移检测器件的性能。通过设置芯片的IC芯片晶片上的研磨迹线与IC芯片的侧脊上的垂直线所成的角度小于45度，更优选为10－45度，可以减少IC芯片的侧脊上的切屑，包括松动切屑。可避免使用在侧脊上具有松动切屑的IC芯片用于调整板，并且可以提供高度可靠的位移检测器件。
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公开(公告)号：CN1908676A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610110069.5
申请日：2006-08-04
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: G01P15/12
Abstract: 一种加速度传感器，实现了高耐冲击性，即使是当过大的加速度或冲击作用于加速度传感器时，加速度传感器元件的重体底面也不会与由陶瓷、玻璃或硅制成的保护外壳的内底板直接碰撞，避免了加速度传感器元件的重体底面的边缘和角的碎裂。该加速度传感器包含加速度传感器元件以及安装该加速度传感器元件的保护外壳，加速度传感器元件在中心具有当施加加速度时像钟摆一样工作的重体。保护外壳的内底板作为调节板工作，以防止重体向下过大摆动。在重体的底面或保护外壳的内底板上提供有金属层或树脂层的冲击缓冲材料。
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