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公开(公告)号：CN113056812B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201980076321.0
申请日：2019-10-17
申请人： 日立能源瑞士股份公司
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/32 , H01L29/06
摘要： 一种功率半导体器件包括：具有有源区(AR)和横向围绕有源区的终端区(TR)的晶片(2)；终端区中的浮置场环；包括减少载流子寿命的缺陷的寿命控制区；和晶片上的保护层(6)。保护层覆盖终端区，并包括薄部分(61)和横向围绕薄部分的厚部分(62)。厚部分覆盖浮置场环。寿命控制区(5)在横向方向上延伸穿过有源区，并且在终端区中延伸穿过被薄部分覆盖的部分，并且不在被厚部分覆盖的部分中。根据制造方法，使用保护层(6)作为照射掩模，通过利用离子照射晶片(2)来形成寿命控制区。
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公开(公告)号：CN115336007B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202180022071.X
申请日：2021-03-12
申请人： 日立能源瑞士股份公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/36
摘要： 半导体器件按从第一主侧(21)到第二主侧(22)的顺序包括：第一导电类型的第一半导体层(3)、第二导电类型的第三半导体层(41)、第二导电类型的第五半导体层(43)、以及第二导电类型的第四半导体层(42)，其中，第三半导体层与第一半导体层(3)形成pn结(5)，第五半导体层(43)的最大掺杂浓度低于第四半导体层(42)的最大掺杂浓度且高于第三半导体层(41)的最大掺杂浓度，并且其中，第一导电类型的第一半导体区(51)和第二半导体区(52)完全嵌入在第五半导体层(43)中。在反向恢复期间，第一半导体区(51)的第一导电类型载流子注入持续时间不同于第二半导体区(52)的第一导电类型载流子注入持续时间。
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公开(公告)号：CN115336007A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180022071.X
申请日：2021-03-12
申请人： 日立能源瑞士股份公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/36
摘要： 半导体器件按从第一主侧(21)到第二主侧(22)的顺序包括：第一导电类型的第一半导体层(3)、第二导电类型的第三半导体层(41)、第二导电类型的第五半导体层(43)、以及第二导电类型的第四半导体层(42)，其中，第三半导体层与第一半导体层(3)形成pn结(5)，第五半导体层(43)的最大掺杂浓度低于第四半导体层(42)的最大掺杂浓度且高于第三半导体层(41)的最大掺杂浓度，并且其中，第一导电类型的第一半导体区(51)和第二半导体区(52)完全嵌入在第五半导体层(43)中。在反向恢复期间，第一半导体区(51)的第一导电类型载流子注入持续时间不同于第二半导体区(52)的第一导电类型载流子注入持续时间。
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