公开(公告)号：CN101447540A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810169999.7

申请日：2008-10-16

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 竹内隆 ,  助川俊光

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/14 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/305 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，以及采用该半导体发光元件用外延晶片来制作的半导体发光元件，该半导体发光元件用外延晶片能控制Zn从p型接触层向p型包覆层和活性层的扩散量。本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，在n型GaAs基板(1)上至少依次层叠由AlGaInP系材料形成的混晶所构成的n型包覆层(4)、活性层(6)和掺杂Mg的p型包覆层，以及p型接触层(13)，所述p型接触层(13)从所述n型GaAs基板(1)侧开始依次具有掺杂Mg的接触层(13b)和掺杂Zn的接触层(13a)至少两个层，其特征在于，在所述掺杂Mg的p型包覆层(8，10)和所述p型接触层(13)之间，具备掺杂Zn的Zn掺杂层(11)。

公开(公告)号：CN101447540B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200810169999.7

申请日：2008-10-16

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 竹内隆 ,  助川俊光

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/14 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/305 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，以及采用该半导体发光元件用外延晶片来制作的半导体发光元件，该半导体发光元件用外延晶片能控制Zn从p型接触层向p型包覆层和活性层的扩散量。本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，在n型GaAs基板(1)上至少依次层叠由AlGaInP系材料形成的混晶所构成的n型包覆层(4)、活性层(6)和掺杂Mg的p型包覆层，以及p型接触层(13)，所述p型接触层(13)从所述n型GaAs基板(1)侧开始依次具有掺杂Mg的接触层(13b)和掺杂Zn的接触层(13a)至少两个层，其特征在于，在所述掺杂Mg的p型包覆层(8，10)和所述p型接触层(13)之间，具备掺杂Zn的Zn掺杂层(11)。

公开(公告)号：CN101826584A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010122250.4

申请日：2010-03-02

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 竹内隆 ,  今野泰一郎

IPC: H01L33/26

CPC classification number: H01L33/325 ,  H01L33/025

Abstract: 一种发光器件外延片包括n-型衬底、层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层、层叠在所述n-型包覆层上的包含量子阱结构的发光层以及层叠在所述发光层上的p-型包覆层。所述n-型包覆层包括掺杂有包含Si的两种以上n-型掺杂剂的混合物的外延层，并且厚度不小于250nm且不超过750nm。或者，一种发光器件外延片包括n-型衬底、层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层、层叠在所述n-型包覆层上的发光层以及层叠在所述发光层上的p-型包覆层。所述n-型包覆层包括含Si的两种以上n-型杂质。