轧制铜箔
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103255308A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201210184249.3

    申请日:2012-06-05

    Abstract: 本发明提供一种轧制铜箔,在再结晶退火工序后具有优良弯曲特性。与主表面平行的多个晶面的衍射峰强度为:I{022}/(I{022}+I{002}+I{113}+I{111}+I{133})≥0.50,(I{002}+I{113})/(I{111}+I{133})≤2.0,10≤I{022}/I{002}≤45,I{022}/I{113}≥5.0,I{022}/I{111}≤120,I{022}/I{133}≤25,I{002}/I{113}≤5.0,I{111}/I{133}≤3.0,I{113}/I{111}≤5.0,I{002}/I{111}≤8.0,I{002}/I{133}≤2.0,且I{113}/I{133}≤2.0。

    铜合金材料
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102071334A

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN201010182915.0

    申请日:2010-05-18

    Abstract: 本发明涉及一种铜合金材料,提供一种具有高强度、高耐力、高导电率及良好的弯曲加工性的铜合金材料,具体提供一种铜合金材料,其多个结晶面包含{111}、{002}、{022}、{113}、{024},在多个结晶面的相对强度分别计为I{111}、I{002}、I{022}、I{113}、I{024}、铜标准粉末中相对强度分别计为I0{111}、I0{002}、I0{022}、I0{113}、I0{024}时,满足[I{111}/I0{111}]/[I{022}/I0{022}]≥0.15、[I{002}/I0{002}]/[I{022}/I0{022}]≥0.20、[I{113}/I0{113}]/[I{022}/I0{022}]≥0.60、[I{024}/I0{024}]/[I{022}/I0{022}]≥0.15的关系。

    轧制铜箔
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103255312A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310006449.4

    申请日:2013-01-08

    Abstract: 本发明涉及一种轧制铜箔。所述轧制铜箔具有高弯曲特性和优异的耐弯折性。与主表面平行的多个晶面包含{022}面、{002}面、{113}面、{111}面、和{133}面,将对主表面由使用2θ/θ法的X射线衍射测定所求出、以合计值为100的方式所换算的各晶面的衍射峰强度比分别设为I{022}、I{002}、I{113}、I{111}和I{133}时,I{113}≤6.0、I{111}≤6.0、且I{133}≤6.0。

    轧制铜箔
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103146946A

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201210092448.1

    申请日:2012-03-31

    Abstract: 本发明提供一种轧制铜箔,其具备低刚性,同时在再结晶退火工序后具有优异的弯曲特性。该轧制铜箔的平行于主表面的多个晶面的衍射峰强度为:I{022}/(I{022}+I{002}+I{113}+I{111}+I{133})≥0.50,(I{002}+I{113})/(I{111}+I{133})≥1.0,I{022}/I{002}≤8.0,I{022}/I{113}≤30,I{022}/I{111}≥7.0,I{022}/I{133}≥10,1.0≤I{002}/I{113}≤15,I{111}/I{133}≤10,I{113}/I{111}≥0.30,1.0≤I{002}/I{111}≤20,1.0≤I{002}/I{133}≤75,且0.50≤I{113}/I{133}≤20。

    轧制铜箔
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102965539A

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201210040800.7

    申请日:2012-02-21

    Abstract: 本发明提供一种兼备优异的弯曲特性和低刚性的轧制铜箔。所述轧制铜箔通过将铜合金材轧制加工成厚度为1μm以上20μm以下的箔状体而形成,所述铜合金材含有0.0002质量%以上0.003质量%以下的硅(Si)、0.0025质量%以上0.018质量%以下的硼(B)和0.0002质量%以上且以质量比计为所述硼(B)的五分之一以下的硫(S),剩余部分包含无氧铜或氧量为0.002质量%以下的低氧浓度的铜(Cu)、以及不可避免的杂质。

    轧制铜箔及其制造方法、使用其的锂离子二次电池负极

    公开(公告)号:CN102899520A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201210082186.0

    申请日:2012-03-26

    Abstract: 本发明提供轧制铜箔及其制造方法、以及使用其的锂离子二次电池负极,该轧制铜箔不仅具有高强度、高耐热性、高导电率和良好的加工性,而且在对铜箔表面不实施利用电沉积粒的镀敷等的粗化处理的情况下,与包含在负极活性物质层中的树脂之间的密合性高。该轧制铜箔的特征在于,含有Cr,优选含有0.20~0.40重量%的Cr,并且以在将各构成元素的(原子半径)×(原子%)的总和作为全部构成元素的平均原子半径时,该平均原子半径小于Cu的原子半径的比例含有具有提高强度和/或耐热性的功能的元素(但Cr除外),优选含有选自由Ag、Sn、In、Ti、Zr组成的元素组中的元素的1种或2种以上,剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成。

    轧制铜箔
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103255313A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310048976.1

    申请日:2013-02-07

    Abstract: 本发明涉及一种轧制铜箔。所述轧制铜箔在再结晶退火工序后具有优异的弯曲特性。将与主表面平行的{022}面、{113}面、{111}面、{133}面和{002}面的以合计值为100所换算的衍射峰强度比分别设为I{022}、I{002}、I{113}、I{111}和I{133},将具有{022}面、{113}面、{111}面、{133}面和{002}面的粉末铜的以合计值为100所换算的衍射峰强度比分别设为I0{022}、I0{113}、I0{111}、I0{133}和I0{002}时,I{022}/I0{022}≥7.0、I{113}/I0{113}≥0.40、I{111}/I0{111}≥0.090、且I{133}/I0{133}≥1.4。

    轧制铜箔
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103255309A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201210189040.6

    申请日:2012-06-08

    Abstract: 本发明提供一种轧制铜箔,其具有高弯曲特性和优良的耐折弯性。与主表面平行的多个晶面包括{022}面、{002}面、{113}面、{111}面和{133}面,对主表面利用2θ/θ法进行X射线衍射测定而求出、以合计值成为100的方式换算而得的各晶面的衍射峰强度比分别为I{113}≤6.0、I{111}≤6.0且I{133}≤6.0,各晶面的衍射峰的半值宽分别为FWHM{002}≤0.60、FWHM{022}≤0.50、FWHM{113}≤0.50、FWHM{111}≤0.50且FWHM{133}≤0.70。

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