公开(公告)号：CN106663638B

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201580046120.8

申请日：2015-11-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 柴田智章 ,  赖华子 ,  峰岸知典 ,  阿部秀则 ,  增子崇 ,  大竹俊亮

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H05K3/28 ,  C08J5/18 ,  C08L25/04 ,  C08L75/04

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具备具有将电路部件密封的挠性树脂层的电路基板。该方法可具备：通过在密封材料中浸渍挠性基板并将其干燥而用密封材料密封电路部件的工序；和通过使密封材料固化而形成挠性树脂层的工序。

公开(公告)号：CN106663638A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580046120.8

申请日：2015-11-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 柴田智章 ,  赖华子 ,  峰岸知典 ,  阿部秀则 ,  增子崇 ,  大竹俊亮

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H05K3/28 ,  C08J5/18 ,  C08L25/04 ,  C08L75/04

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具备具有将电路部件密封的挠性树脂层的电路基板。该方法可具备：通过在密封材料中浸渍挠性基板并将其干燥而用密封材料密封电路部件的工序；和通过使密封材料固化而形成挠性树脂层的工序。