公开(公告)号：CN102290334B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110153300.X

申请日：2006-06-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川守崇司 ,  增子崇 ,  加藤木茂树 ,  安田雅昭

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L23/488 ,  C09J179/08 ,  G03F7/037 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/78 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/48091 ,  Y10T156/1002 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法，其包括：粘接剂层形成工序：通过把粘接薄膜贴附在半导体晶圆上，在所述半导体晶圆上形成粘接剂层；粘接剂图案形成工序：通过对该粘接剂层进行曝光和显影处理，形成粘接剂图案；粘接工序：隔着所述粘接剂图案将被粘接物粘接在所述半导体晶圆上。该半导体装置的制造方法可以用在较低温度下进行半导体装置的制造。