公开(公告)号：CN1291052C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200410036828.9

申请日：2004-04-19

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 石川泰靖 ,  新见寿宏 ,  波多野隆绍

IPC: C22C9/06

Abstract: 提供一种兼具高强度及高导电性的电子材料用Cu-Ni-Si合金，其特征在于，在含有1.0～4.5质量%(以下为%)的Ni、0.25～1.5%的Si、其余是由Cu及不可避免的杂质构成的铜基合金中，在Ni和Si的质量浓度为[Ni]、[Si]时，Ni与Si的质量浓度比(以下为[Ni]/[Si])为4～6、并且是使(式1)所定义的x为0.1～0.45的[Ni]、[Si]，([Ni]-4x)2([Si]-x)＝1/8……(式1)。

公开(公告)号：CN1897171A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610105676.2

申请日：2006-07-17

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 波多野隆绍 ,  新见寿宏 ,  石川泰靖 ,  滝千博

IPC: H01B1/02 ,  C22C9/04 ,  C22C1/00 ,  B21B1/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种兼有必要且充分的导电率和强度，可适应电子设备部件的小型化、且低成本的铜合金。含有2～12质量％的Zn和0.1～1.0质量％的Sn，并将Sn的质量百分比浓度([％Sn])和Zn的质量百分比浓度([％Zn])的关系调整到0.5≤[％Sn]+0.16[％Zn]≤2.0的范围内，其余部分由铜和其不可避免的杂质构成，不可避免的杂质中S浓度小于等于30质量ppm、O浓度小于等于50质量ppm，在具有上述特征的铜合金中，能够以较低的成本获得：通过将晶粒形状和结晶方位调整到适当的范围内，从而具有大于等于35％IACS的电导率以及大于等于410MPa的拉伸强度，并可进行较差方式以及较好方式的180度贴合弯曲加工的铜合金。